Máquina de corte com fio diamantado GC-SCDW8300

para silício monocristalinode waferde barras

Introdução do produto
Esta máquina é um sistema dedicado de corte multifio com fio diamantado para lingotes de carboneto de silício (SiC). Possui entre-eixos ajustável, oscilação da peça, baixa perda de material e consumo reduzido de fio. Em conjunto com fio diamantado dedicado, sistema de controlo de tensão de alta precisão e tecnologia de corte em alta velocidade, garante corte estável, de alta qualidade e alta eficiência de cristais 6–8″ × L300, adequado a linhas industriais de produção de wafers.

Principais características

• Corte multifio com fio diamantado projetado especificamente para lingotes de SiC
• Entre‑eixos ajustável para acomodar diferentes diâmetros de lingote
• Oscilação da peça para melhorar o acabamento superficial e reduzir lascamento
• Baixa perda de material e consumo reduzido de fio diamantado para produção económica
• Controlo de tensão de alta precisão que assegura espessura de corte consistente e repetibilidade
• Suporta alimentação de fio unidirecional ou bidirecional para maior flexibilidade

Parâmetros técnicos

• Tamanho máximo da peça: 6–8″ × L300
• Direção de alimentação do fio: alimentação unidirecional / bidirecional
• Velocidade máxima do fio: 3000 m/min
• Método de corte: corte descendente
• Avanço rápido (ida/volta rápida): 50–500 mm/min
• Ângulo de oscilação máx.: ±10°
• Reserva máxima de fio: 120 Km
• Dimensões (C × L × A): aprox. 4880 × 2100 × 3100 mm
• Peso do equipamento: aprox. 14000 Kg

Aplicações e benefícios

• Concebida para produção em grande volume de wafers SiC para eletrónica de potência e substratos semicondutores
• Qualidade de corte estável que reduz o processamento subsequente e melhora o rendimento
• Formato e design adequados à integração em linhas de produção automatizadas
• Grande reserva de fio e gestão eficiente para reduzir a frequência de troca