Wafer de silício

Introdução do produto
O controlo do rendimento é difícil para wafers de silício fotovoltaico grandes e finos empilhados. Atuamos há vários anos em corte, promovendo processos com fio fino para melhorar rendimento e desempenho dos wafers. O serviço foca na redução de marcas de fio e TTV para melhorar o aspecto dos wafers e a taxa de entrega. Fornecemos serviços de usinagem para formatos como as séries 182 e 210, wafers retangulares e meias células. Os equipamentos conseguem cortar e processar wafers maiores e mais finos para acompanhar as tendências do setor e os requisitos dos clientes.

Parâmetros do produto
N/P Type | Wafer Size | Wafer Thickness/μm | TTV/μm | Saw Mark/μm | Resistivity | MCLT/μs | Oxygen Content/ppma | Carbon Content/ppma
P | 182.2*182.2 | 150±10 | ≤25 | ≤12.5 | 0.4-1.1 | ≥70 | ≤15 | ≤1
P | 182*183.75 | 150±10 | ≤25 | ≤12.5 | 0.4-1.1 | ≥70 | ≤15 | ≤1
N | 182.2*183.75 | 130±8 | ≤20 | ≤12.5 | 0.6-1.6 | ≥1000 | ≤11 | ≤1
N | 182.2*182.2 | 130±8 | ≤20 | ≤12.5 | 0.6-1.6 | ≥1000 | ≤11 | ≤1
N | 182.3*210 | 130±8 | ≤20 | ≤12.5 | 0.6-1.6 | ≥1000 | ≤11 | ≤1
N | 210*210 | 130±8 | ≤20 | ≤12.5 | 0.6-1.6 | ≥1000 | ≤11 | ≤1
N | 210*105 | 110+15/-10 | ≤25 | ≤12.5 | 0.3-2.1 | ≥1000 | ≤14 | ≤1
N | 182.3*105 | 130±10 | ≤25 | ≤12.5 | 0.4-1.6 | ≥4000 | ≤13 | ≤1
Nota: wafers de silício podem ser personalizados em termos de resistividade e parâmetros visuais para atender aos requisitos do cliente.

Características / especificações técnicas

• Tipo de produto: serviços de usinagem e corte de grandes wafers de silício fotovoltaico (processamento de wafer).
• Foco principal: reduzir marcas de fio e Variação Total de Espessura (TTV) para melhorar o aspecto e o rendimento de wafers grandes e finos.
• Formatos suportados e exemplos de tamanhos: 182.2×182.2 mm, 182×183.75 mm, 182.2×183.75 mm, 182.3×210 mm, 210×210 mm, 210×105 mm, 182.3×105 mm, wafers retangulares, meias células e outros tamanhos personalizados.
• Faixas de espessura e tolerâncias: exemplos 150±10 μm, 130±8 μm, 110+15/-10 μm, 130±10 μm (dependendo do tipo/tamanho).
• TTV (Total Thickness Variation): tipicamente ≤20 μm ou ≤25 μm dependendo do tipo N/P e do tamanho.
• Marca de serra (saw mark): tipicamente ≤12.5 μm para os tipos listados.
• Faixas de resistividade (exemplos): 0.3–2.1 Ω·cm, 0.4–1.1 Ω·cm, 0.4–1.6 Ω·cm, 0.6–1.6 Ω·cm (dependendo do tipo/tamanho).
• MCLT (minority carrier lifetime) exemplos: ≥70 μs, ≥1000 μs, ≥4000 μs para configurações específicas.
• Conteúdo de oxigénio (exemplos): ≤15 ppma, ≤11 ppma, ≤14 ppma, ≤13 ppma (varia por tipo).
• Conteúdo de carbono: ≤1 ppma para todos os tipos listados.
• Personalização: wafers podem ser personalizados em resistividade e parâmetros visuais para cumprir requisitos de processo e rendimento.
• Capacidade de serviço: usinagem e corte para wafers 182, 210, retangulares e meias células; equipamento compatível com processamento de wafers maiores e mais finos.