Cabo de corte diamantado para metais duros

para silício

Descrição do produto
Fio diamantado especialmente desenvolvido para o corte de wafers de silício para semicondutores e materiais de carboneto. Oferece corte estável e eficiente com menor quebra de fio. Inclui um sistema de controle automático que minimiza a flutuação do volume de abrasivo (areia), garantindo distribuição uniforme do abrasivo e qualidade de corte consistente. A produção é realizada sob monitoramento em alta definição para rastreabilidade. Um processo de tratamento específico melhora a tenacidade e a resistência ao desgaste do fio, reduzindo quebras.

Parâmetros do produto
Espec. & Modelo | Diâmetro do fio acabado(μm) | Força de ruptura(N) | Finalidade
45μm | 62±3 | ≥9 | Corte de semicondutores de silício
65μm | 77±3 | ≥15 | Corte de semicondutores de silício
70μm | 80±3 | ≥17 | Corte de semicondutores de silício
70μm (12 polegadas dedicado) | 82±2 | ≥17 | Corte de semicondutores de silício
100μm | 111±3 | ≥29 | Corte de semicondutores de silício

Características / especificações técnicas

• Diâmetros disponíveis do fio acabado: 45 μm, 65 μm, 70 μm, 70 μm (12 polegadas dedicado), 100 μm.
• Especificações de força de ruptura: 45 μm ≥9 N (62±3 referência), 65 μm ≥15 N (77±3 referência), 70 μm ≥17 N (80±3 referência), 70 μm 12 polegadas ≥17 N (82±2 referência), 100 μm ≥29 N (111±3 referência).
• Aplicação principal: corte de wafers de silício e materiais de carboneto na produção de semicondutores.
• Projeto: corte estável e eficiente com menor quebra de fio.
• Sistema de controle: controle automático do volume de abrasivo para minimizar flutuações e garantir distribuição uniforme.
• Produção e qualidade: fabricação sob monitoramento HD para rastreabilidade completa.
• Tratamento do material: processo especial que aumenta a tenacidade e a resistência ao desgaste do fio, reduzindo quebras.