MOSFET em silício RM40N10PA
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Características
- Material
- em silício
Descrição
Este MOSFETs da Rongtech Industry(ShangHai) Inc.,. Tecnologia avançada de 6 polegadas para conseguir um RDS(on) de Drenagem Estática de Resistência extremamente baixa. Por esta razão, este MOSFETs tem um baixo consumo de energia durante a aplicação, o que também aumenta a fiabilidade e durabilidade.
Características gerais
-VDS=100V,ID=40A
Rdson≦42mΩ @VGS=10V (Typ:32mΩ)
-Extensão da área de operação segura
-Baixas capacidades de transferência inversa
-100% de energia de avalanche de pulso único Teste
Aplicação
-Aplicação de comutação de energia
-DC Controlo Automóvel
- UPS
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Catálogos
RM40N10PA
5 Páginas
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Mosfet power semi conductors
* Os preços não incluem impostos, transporte, taxas alfandegárias, nem custos adicionais associados às opções de instalação e de ativação do serviço. Os preços são meramente indicativos e podem variar em função dos países, do custo das matérias-primas e das taxas de câmbio.
