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MOSFET em silício RM110N06PK

MOSFET em silício
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Características

Material
em silício

Descrição

Este MOSFETs da Rongtech Industry(ShangHai) Inc.,. Tecnologia avançada de 6 polegadas para conseguir um RDS(on) de Drenagem Estática de Resistência extremamente baixa. Por esta razão, este MOSFETs tem um baixo consumo de energia durante a aplicação, o que também aumenta a fiabilidade e durabilidade. Característica: VDS=60V,ID=110A Rdson≦10mΩ @VGS=10V (Typ:7.0mΩ) Área de Operação Segura Alargada Baixa capacidade de transferência inversa teste de energia de avalanche de pulso único a 100% Aplicação -Aplicação de comutação de energia -DC Controlo Automóvel - UPS

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Tradução automática  (ver texto original em inglês)

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RM110N06PK
RM110N06PK
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