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Wafer de silício SL-G12N

Wafer de silício - SL-G12N - SHUANGLIANG ECO-ENERGY SYSTEMS CO., LTD
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Descrição

Visão geral
  • SL-G12N é um wafer de silício tipo N destinado à fabricação e ao teste de dispositivos semicondutores.


Dimensões principais
  • Diâmetro: 210 mm


Propriedades materiais e elétricas
  • Resistividade: 0,4–1,6 Ω·cm
  • Tempo de vida de portadores minoritários (MCLT): ≥1000 μs
  • Concentração de oxigênio: ≤12 ppma
  • Concentração de carbono: ≤1 ppma


Especificações técnicas
  • Modelo: SL-G12N
  • Tipo: wafer de silício tipo N
  • Diâmetro: 210 mm
  • Resistividade: 0,4–1,6 Ω·cm
  • Tempo de vida de portadores minoritários (MCLT): ≥1000 μs
  • Concentração de oxigênio: ≤12 ppma
  • Concentração de carbono: ≤1 ppma

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