ProductSL-G12N
OverviewO SL-G12N é um wafer de silício tipo N de 210 mm de diâmetro, destinado à fabricação de semicondutores e à pesquisa. Adequado a aplicações que exigem resistividade controlada e longa vida útil de portadores minoritários, como células fotovoltaicas, dispositivos de potência e prototipagem avançada.
Technical Data- Modelo: SL-G12N
- Tipo: wafer de silício tipo N
- Diâmetro: 210 mm
- Resistividade: 0,4–1,6 Ω·cm
- Tempo de vida de portadores minoritários (MCLT): ≥1000 μs
- Concentração de oxigénio: ≤12 ppma
- Concentração de carbono: ≤1 ppma
Handling and packagingEntregue em cassetes ou suportes de proteção adequados para transferência em sala limpa. Manusear em condições ESD e evitar contaminação por partículas. Inspecionar visualmente e com metrologia padrão antes do processamento.
Applications- Substratos para células fotovoltaicas
- Dispositivos semicondutores de potência
- Investigação e prototipagem em microeletrónica
- Desenvolvimento de processos e testes de fiabilidade