Sensor de pressão relativa t011 TBAR-UHIVS
ressonantede silícioMEMS

Sensor de pressão relativa - t011 TBAR-UHIVS - SIAP+MICROS - ressonante / de silício / MEMS
Sensor de pressão relativa - t011 TBAR-UHIVS - SIAP+MICROS - ressonante / de silício / MEMS
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Características

Tipo de pressão
relativa
Tecnologia
de silício, MEMS, ressonante
Outras características
de alta precisão, pré-calibrado
Faixa de pressão

MÍN: 0,5 bar
(7,25 psi)

MÁX: 1,1 bar
(15,95 psi)

Precisão

0,02 %

Estabilidade a longo prazo

0,005 %, 0,01 %

Temperatura de processo

MÍN: -40 °C
(-40 °F)

MÁX: 60 °C
(140 °F)

Descrição

O TBAR-UHIVS / USDI12 está equipado com um transdutor com tecnologia TERPS (Trench Etched Resonant Pressure Sensor), uma tecnologia em que a pressão é medida através da observação da variação de frequência de um elemento de silício ressonante micro-usinado. O sensor está alojado numa caixa especial que garante uma resistência considerável ao pó e aos líquidos, preservando excelentes padrões de funcionamento mesmo em condições climatéricas adversas e desfavoráveis. O sensor está alojado numa caixa especial que garante uma resistência considerável ao pó e aos líquidos, mantendo excelentes padrões de funcionamento mesmo em condições climáticas adversas e desfavoráveis. É efectuado um cuidadoso processo de calibração através de uma câmara climática que permite calibrar o sensor e adaptar o seu funcionamento a altitudes específicas, com base nas condições ambientais reais da instalação. Todo o procedimento é efectuado com precisão, de modo a atingir um elevado nível de precisão de medição e de repetibilidade em relação à temperatura de funcionamento

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