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Tensão inversa: 650 V
... Tempo de recuperação mais curto, permitindo a comutação a alta velocidade. CARACTERÍSTICAS: Reduzida dependência da temperatura Possibilidade de comutação a alta velocidade Elevada capacidade de corrente de pico ...
ROHM Semiconductor
Tensão inversa: 650 V
... Tempo de recuperação mais curto, permitindo a comutação a alta velocidade. CARACTERÍSTICAS: Reduzida dependência da temperatura Possibilidade de comutação a alta velocidade Elevada capacidade de corrente de pico ...
ROHM Semiconductor
Tensão inversa: 650 V
... Tempo de recuperação mais curto, permitindo a comutação a alta velocidade. CARACTERÍSTICAS: Redução da dependência da temperatura Possibilidade de comutação a alta velocidade Elevada capacidade de corrente de pico ...
ROHM Semiconductor
Tensão inversa: 1.200 V
... Redução da perda de comutação, permitindo a comutação a alta velocidade (pacote de 2 pinos) ・Shorter tempo de recuperação ・Reduced dependência da temperatura ・High - possibilidade de comutação de velocidade ...
ROHM Semiconductor
Tensão direta: 600 V
Tensão inversa: 600 V
... Os díodos de recuperação rápida do ROHM são de ultra alta velocidade, baixa FV, e adequados para um aumento significativo da eficiência da alimentação de comutação, bem como para a redução da perda de comutação. ・TO-220 ...
ROHM Semiconductor
Tensão direta: 600 V
Tensão inversa: 600 V
... Os díodos de recuperação rápida do ROHM são de ultra alta velocidade, baixa FV, e adequados para um aumento significativo da eficiência da alimentação de comutação, bem como para a redução da perda de comutação. ・High-fiabilidade ...
ROHM Semiconductor
Tensão direta: 600 V
Tensão inversa: 600 V
... Os díodos de recuperação rápida do ROHM são de ultra alta velocidade, baixa FV, e adequados para um aumento significativo da eficiência da alimentação de comutação, bem como para a redução da perda de comutação. ・TO-220 ...
ROHM Semiconductor
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