抵抗性プローブ Infinity Waveguide

シリコンCMOSやSiGe技術の登場により、デバイスの小型化・高速化が進んでいます。テストエンジニアは、最大500 GHz、場合によってはそれ以上のデバイスの性能を検証する必要があります。このコンポーネント／オンウエハ・プロービング・ソリューションは、50ミクロン・パッドで低くて安定した接触抵抗を実現しながら、高度なオンウエハ・モデリングと特性評価のための高周波プロービングの課題に対応するように設計されています。500GHzにおいて最も困難な問題は、プローブ周辺の電界です。Waveguide Infinity Probeの新しいメンブレンGSGコンタクトチップは、プローブチップ付近の浮遊電界を低減する設計になっています。先端付近の電界を制御することで、500GHzまでの再現性のある測定と、先端間のクロストーク性能の向上が可能になります。