抵抗性プローブ |Z| Probe® Power

反射

世界のどこにいてもリッチなコンテンツにアクセスしたいというニーズが、情報のワイヤレス伝送の成長を後押ししています。このため、ワイヤレスシステムにおけるRFパワーデバイスや、GaNやSiCなどの新技術の必要性が高まっています。このため、これらの新技術をウェーハレベルで特性評価することが必要となり、新しいモデルの開発に必要な時間が大幅に短縮されます。これらのモデルは、新しいデバイスの設計に使用され、さらに無線伝送システム（基地局、衛星など）に実装され、コンテンツに貪欲な消費者の要求に応えます。 ウェハレベルでRFパワーデバイスの高精度な特性評価を行うために、実績のある｜Z｜プローブ技術をベースに、高周波（最大40 GHz）でハイパワーに対応する｜Z｜プローブ®パワーが用意されています。Z|プローブパワーは、優れた接触再現性と極めて低い接触抵抗を提供し、RFパワーデバイスの特性評価で一般的なロードプル測定セットアップで正確な結果を提供します。 ロードプル測定やノイズパラメータ測定では、高い反射率（Γ）を確保するために挿入損失を低く抑える必要があるため、｜Z｜プローブパワーは極めて低い挿入損失を提供するように設計されています。このことは、特に50Ω以外のインピーダンスにおいて、より正確な測定ができることを意味します。