光起電性貯蔵マシン LTMC

化学気相成長真空

概要
LTMC装置は低温プラズマ化学蒸着（PCVD）を用いて金属部品に金属-セラミックの拡散層を形成します。真空下で150°C未満の条件でプラズマがシリコン、ホウ素、窒素含有のプロセスガスを活性化し、基材表面と反応・拡散して、表面硬度を高め、固体潤滑相を有する勾配複合セラミック層を生成します。

主要性能概要

• チャンバー容積：3.4 m³
• 有効処理寸法：1,200 × 1,100 × 550 mm
• 最大積載重量：3,000 kg
• 通常のプロセス時間：3–5時間（ワークや条件に依存）
• 動作温度：150°C以下

LTMC技術の主な利点

• 低温表面硬化：基材への熱影響を抑えつつ表面硬度を向上させ、薄肉や精密部品に適する。
• セラミック拡散結合：Si、B、Nがセラミック相を形成し、約10–20 μmの深さまで拡散して強固に結合した耐摩耗層を生成する。
• 自己潤滑性表面：六方晶窒化ホウ素などの相が形成され、硬度を維持しつつ摩擦を低減する固体潤滑を提供する。
• 内外面処理：電極形状を調整することで内面や薄肉部の処理が可能。

用途と対応材料

• 典型的用途：シリンダーライナー、ピストンリング、切削工具、金型、カムシャフト、ロッカーアーム、ベアリング、ギアなど、耐摩耗性と低摩擦を必要とする部品。
• 処理可能材料：鋼、チタン合金、アルミ合金、超硬合金（試験例：20CrNiMo、TC17、YG6、純銅）。

プロセスおよび機能の詳細
LTMCは低温PCVDを採用：プラズマがSi、B、N含有の反応性ガスを活性化し、セラミック相を形成して表面近傍に10–20 μm程度拡散させ、耐摩耗性および自己潤滑性を持つ勾配複合層を生成する。

製品パラメータ
装置：LTMC Low Temperature Metal Ceramic Coating Equipment
プロセス技術：Low Temperature Plasma Chemical Vapor Deposition (PCVD)
チャンバー容積：3.4 m³
有効処理寸法：1,200 × 1,100 × 550 mm
最大積載重量：3,000 kg
装置寸法（L × W × H）：8,770 × 5,100 × 2,320 mm
セラミック形成元素：シリコン、ホウ素、窒素
プロセスガス：N2 / SiH4 / B2H6
セラミック拡散深さ：10–20 μm
ガス制御モード：チャンバー圧力制御またはガス流量制御
真空ポンプ構成：ロータリーベーンポンプ＋ルーツポンプ
排気速度：1,200 m³/h
通常のプロセス時間：3–5時間
動作温度：150°C以下

FAQ（抜粋）

• LTMC装置は何に使われますか？ — シリンダーライナー、ベアリング、ギア、切削工具、金型などの部品に対する表面硬度、耐摩耗性、自己潤滑性を向上させる低温金属-セラミック拡散処理。
• 処理温度は？ — 150°C以下（最大作動温度150°C）。
• どの材料が処理可能ですか？ — 鋼、チタン合金、アルミ合金、超硬合金（例：20CrNiMo、TC17、YG6、純銅）。
• 内面や薄肉部品の処理は可能ですか？ — はい。電極形状を調整して内面や薄肉部品（例：1.5 mmの薄肉ライナー）を処理できます。
• 最大積載能力は？ — 3,000 kg；有効処理寸法 1,200 × 1,100 × 550 mm；チャンバー容積 3.4 m³。

技術仕様

• シリーズ / 名称：LTMC
• プロセス：Low Temperature Plasma Chemical Vapor Deposition (PCVD)
• チャンバー容積：3.4 m³
• 有効処理寸法：1,200 × 1,100 × 550 mm
• 最大積載重量：3,000 kg
• 装置寸法：8,770 × 5,100 × 2,320 mm
• 動作温度：150°C以下
• 標準サイクル時間：3–5時間（ワークと設定に依存）
• セラミック形成元素：シリコン、ホウ素、窒素
• プロセスガス（例）：N2 / SiH4 / B2H6
• セラミック拡散深さ：10–20 μm
• ガス制御：チャンバー圧力制御または流量制御
• 真空システム：ロータリーベーンポンプ＋ルーツポンプ
• 排気速度：1,200 m³/h
• 処理可能材料：鋼、チタン合金、アルミ合金、超硬合金
• 機能：内外面処理、薄肉部品加工、調整可能な電極形状