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集束イオンビームプローブ NX2000

集束イオンビームプローブ
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究極のTEM試料作製ツールをめざして 最先端デバイスや高機能ナノ材料の評価・解析において、FIB-SEMはなくてはならないツールとなっています。 近年では、対象構造の微細化に伴い、より薄く、試料加工時のアーティファクトを避けた、TEM薄膜試料作製へのニーズが高まっています。 日立ハイテクでは、定評ある高性能FIB技術と高分解能SEM技術に、姿勢制御とトリプルビーム®*1(オプション)を組み合わせたNX2000を開発しました。 価格:お問い合わせください 取扱会社:株式会社 日立ハイテク 高コントラスト・リアルタイムSEM加工終点検知により、20 nm以下の超薄膜試料作製にも対応 FIB加工中のリアルタイムSEM観察*2例 試料:NANDフラッシュメモリ 加速電圧:1 kV FOV:0.6 µm 姿勢制御技術(マイクロサンプリング®*2システム(オプション)+高精度・高速試料微動機構*)が、カーテン効果の抑制や均一な厚さの薄膜試料作製に寄与します トリプルビーム®*1システム(オプション)が、FIB加工ダメージ除去のスキルレス化・高スループット化を推進します この特許の記載内容は2014年7月現在のものです。特許の状況は審判等により変動する可能性があります。

見本市

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9-12 4月 2024 München (ドイツ) ホール A2 - ブース 113

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    23-26 4月 2024 Stuttgart (ドイツ) ブース 7103

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