DRAMメモリ モジュール H5WRAGESM8W-N8L

クイック

ハイエンドメモリの新たな地平を切り開く究極のDRAM 2021年10月に世界初のHBM3を開発 SK hynixは、HBM2Eの量産開始からわずか15ヶ月で、データセンター、スーパーコンピュータ、AIなどの最先端技術に対応する最新の広帯域メモリ、HBM3を開発し、高速DRAMにおけるリーダーシップを確固たるものにしました。 高度な熱放散 HBM3は、同レベルの動作電圧でHBM2Eよりも低い温度で動作し、サーバーシステム環境の安定性を高めます。SK hynix HBM3は、同等の動作温度で、HBM2Eの1.5倍の容量となる12ダイスタックをサポートし、1.8倍の帯域幅となる6GbpsのI/O速度を実現できます。このように、同じ動作条件でより大きな冷却能力を持つSK hynixは、Memory ForEST*イニシアチブを実現します。 パフォーマンス向上 SK hynix HBM3は、同じパッケージの高さに12個のDRAMダイを積層してHBM2Eの1.5倍の容量を持ち、AIやHPCなどの容量集約型のアプリケーションに適しています。1つのキューブで最大819GB/sの帯域幅を実現し、同じシリコン上に6つのHBMチップを搭載したSiP（システムインパッケージ）では、エクサスケールの要求をサポートするために最大4.8TB/sを達成することができます。 オンダイECC SK hynix HBM3は、堅牢でカスタム設計されたオンダイECC（Error Correcting Code）を搭載しています。これは、あらかじめ割り当てられたパリティビットを使用して、受信したデータのエラーをチェックし修正します。この回路を組み込むことで、DRAMはセル内のエラーを自己修正することができ、デバイスの信頼性を大幅に向上させることができます。