光電子増倍器と同様に、アバランシェフォトダイオードは極めて弱い光強度を検出するために使用されます。 SiAPDは250~1100nmの波長範囲で使用され、InGaAsはAPDでは1100~1700nmの波長範囲の半導体材料として使用されます。
レーザー部品からシリコンAPDアレイAPDアレイが利用可能になり、LIDARおよびACCの新しいアプリケーションが可能になります。
SAHシリーズは、
自動車安全センシングアプリケーションなど、距離測定用のTime-of-Flight(TOF)センサで一般的に使用され、レーザ部品からリニアAPDアレイが入手可能になりました。
低ノイズ、高感度のシリコンアバランシェ・フォトダイオードをモノリシック・アセンブリに組み合わせることで、800~900nmの波長範囲に最適化されています。 さらに、温度係数が低く、要素間にはわずか40 µmの隙間があります。 アレイは、アレイ要素の数とサイズの観点から、お客様の要件に合うように構成することができます。14ピンDILパッケージの8、12、または16要素の配列も標準として入手可能です(データシートも入手可能です)。2Dマトリックス配列は現在開発中です。
---