- プロセスガスのサンプリングと希釈用加熱式ガスサンプル希釈プローブ
- 希釈比30:1を標準とし、オプションで10:1~500:1も可能
- 希釈ガスプレヒーターにより、希釈ガスをサンプルプローブ温度まで予熱
- 臨界オリフィス付き希釈ユニットをサンプルプローブの加熱部に設置
- サンプルプローブでのテストガス接続
- ガスサンプルプローブSP2000Hに基づく
- Fe-CuNi熱電対付き、外部温度コントローラー(オプション
- フィルターハウジングと取り付けフランジはステンレス製で、最高温度まで加熱可能。+220 °C [+608 °F] まで加熱可能
- フィルター気孔率2 µmのセラミックフィルターエレメント
- 耐候性保護カバー付き
- 容易な設置と低メンテナンス
- デッドボリュームが少ない
- 電源: 230 V
- 試料接触部の材質:ステンレス鋼、石英ガラス、グラファイト、セラミック
- オプション: 温度コントローラー、アドオンセットA(精密圧力コントローラー1個と真空圧力計2個付き)、コントロールパネルS(圧力コントローラー1個と圧力計2個、流量計1個、シャットオフバルブ2個付き
ガスサンプル希釈プローブ SP2000-H320/DIL、外付けセラミックフィルター S-2K150型、フィルター気孔率2 µm、電気加熱式外付けフィルター 0~320 °C、熱電対:Fe-CuNi、フィルターエレメントとカバーシールはグラファイト製、断熱材付き耐候保護シールド付き、電源:230 V/50 Hz、800 W、取り付けフランジ:DN 65 PN 6B(G 3/4 "f接続)、サンプルガスOUT:チューブ8 mm、材質:SS 316Ti、セラミック:SS 316Ti、セラミック、グラファイト、希釈倍率はご注文時にご指示ください。
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