InGaAsフォトダイオード XSJ-10-APD4-50G
アバランシェPIN

InGaAsフォトダイオード
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特徴

特性
InGaAs, アバランシェ
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PIN

詳細

商品説明 アバランシェフォトダイオードチップ (APD チップ) は、光電流を増幅する利得を内蔵した能動素子です。本製品は、上面が陽極、背面が陰極となっており、上面照射型のアクティブエリアはΦ50μmで、光学的な組み立てが容易で、高い応答性、高い増倍率、低い暗電流を特長としています。2.5Gbps APDチップとTIAを組み合わせたTO-CANは、光受信器の感度を向上させ、産業用温度PON(Passive Optical Network)伝送に適用することができる。 特長 Φ50μmのアクティブエリア 上面がアノード、背面がカソードになっています。 低暗電流です。 優れた応答性と高ゲインを実現 低暗電流。 2.5Gbps以上のデータレート。 優れた信頼性。すべてのチップはTelcordia -GR-468-COREで規定された資格要件に合格しています。 100%のテストと検査。 アプリケーション 2.5Gbps以下のGPON/EPONのI-temp.光ネットワークユニット (ONU)。

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