アバランシェフォトダイオード XSJ-10-APD5-50P-X

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説明 この10Gアバランシェフォトダイオードチップ(APDチップ)は、上面がP電極、下面がN電極の構造で、上面照射アクティブエリアはΦ50μmです。本製品は、高逓倍、低キャパシタンス、高帯域幅、低温度係数、優れた信頼性を特徴としており、10G SONET/SDH 及び10G PON光レシーバーに応用できます。 特長 1.アクティブエリアΦ50μm 2.高増殖 3.低い温度係数。 4.全数検査。 5.優れた信頼性：すべてのチップは、Telcordia -GR-468-COREによって規定された資格要件に合格しています。 6.RoHS2.0（2011/65/EU）に準拠しています。 アプリケーション 1.10G SONET/SDH 2.10G PON