フォトダイオードマイクロチップ PHG1-D8-90LA-KB

フォトダイオードマイクロチップ - PHG1-D8-90LA-KB - PHOGRAIN TECHNOLOGY(SHENZHEN) CO., LTD.
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特徴

特性
フォトダイオード

詳細

112GBaud/200Gbps底面照射型PIN PDチップ 製品紹介 この112GBaud/200Gbpsフォトダイオードチップは、チップ底面にΦ90μmのレンズを内蔵した底面照射型、メサ構造の高データレートPINフォトダイオードチップです。高帯域幅、高応答性、低キャパシタンス、低暗電流、高信頼性を特長とし、シングルモードファイバ波長980nm~1650nmに対応、最大200Gbpsの長波長光受信に対応します。 特徴 1.Φ90μmレンズを底面に内蔵。 2.GSG(Ground-Signal-Ground)ボンドパッド構造。 3.低暗電流。 4.低キャパシタンス。 5.高い責任。 6.高帯域幅:50GHz。 7.優れた信頼性:すべてのチップは、Telcordiaによって指定された資格要件に合格しています。 -GR-468-CORE。 8.100%の試験と検査。 9.RoHS2.0(2011/65/EU)準拠。 アプリケーション 1.800G光モジュール 2. 1.6T光モジュール

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PHG1-D8-90LA-KB
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*価格には税、配送費、関税また設置・作動のオプションに関する全ての追加費用は含まれておりません。表示価格は、国、原材料のレート、為替相場により変動することがあります。