詳細
概要- SL-G12Nは、半導体デバイスの製造および評価を目的としたN型シリコンウェハです。
主要寸法材料および電気的特性- 抵抗率:0.4〜1.6 Ω·cm
- 少数担体寿命(MCLT):≥1000 μs
- 酸素濃度:≤12 ppma
- 炭素濃度:≤1 ppma
仕様- 型番:SL-G12N
- タイプ:N型シリコンウェハ
- 直径:210 mm
- 抵抗率:0.4〜1.6 Ω·cm
- 少数担体寿命(MCLT):≥1000 μs
- 酸素濃度:≤12 ppma
- 炭素濃度:≤1 ppma
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