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電流: -0.5 A
電圧: -50 V
... 50A02CH は、低周波汎用アンプ・アプリケーション向けのバイポーラ・ トランジスタ、-50V、-0.5A、低 VCE(sat)、PNP シングルです。 ...
Onsemi
電流: 0.4 A - 45 A
電圧: 36 V - 70 V
... 保護します。STの最新の5ピン･デバイスは診断機能も提供しています。 ローサイド･スイッチは、-40°C～+150°Cで動作するように設計されています。 STのローサイド･スイッチ/ ドライバ製品ポートフォリオには、デジタル･ステータスと10 mΩ～ 300 mΩの範囲のオン抵抗値を持つシングルおよびデュアル･ ドライバで構成されます。これらの多機能デバイスは、カー･ボディ･エレクトロニクスにおける多くのパワー･アプリケーションに対応し、さまざまなパッケージで提供されます。 ...
STMicroelectronics
電圧: 7.5 V
... した熱性能 極めて高い堅牢性 高い直線性TETRA、SSB RoHS対応 代表的アプリケーション 出力段VHF帯ハンドヘルド無線機 UHF帯ハンドヘルド無線機用出力段 700-800 MHzハンドヘルド無線機用出力段 ISMおよび放送最終段 トランジスタ用汎用6W ドライバ ...
電圧: 110, 265 V
... オプション） 厳しいI2fパラメータ許容度は、 システムコストを低減します 周波数ジッタリングはEMIフィルタのコストを低減します低いEMIのために ヒートシンクはSOURCEに接続され、低 EMIのために 改善された自動 -restartは短絡およびオープンループフォルト状態で最大電力の 3% 未満を提供します 正確なヒステリ シス熱シャットダウン機能は、リセットを必要とせずに自動的に回復します。 スタートアップストレスを最小限に抑える完全統合型ソフト スタート DRAINと他のすべてのピンの間の沿面距離 ...
Power Integrations
電流: 0.8 A
電圧: 50 V
... DC 電流ゲインhFE 最大.: 400 DC 電流ゲインhFE 最小: 160 説明: TO-92, 50V, 0.8A, NPNバイポーラ トラ ンジ スタ IC (A): 0.8 PD (W): 0.625 パッケージ: TO-92 極性: NPN ステータス: アクティブ TJマックス. (° C): 150 VCBO (V): 50 VCE (土). (V): 0.7 代表取締役社長 (V): ...
電圧: 20, 50 V
... NチャネルMOSFETおよびNPN トランジスタを1つのパッケージに搭載した 低オン抵抗 超低ゲートスレッショルド電圧、最大 1.0V 低入力容量 高速スイッチング速度 低入出力リーク 超小型表面実装パッケージ リード、ハロゲンおよびアンチモンフリー、RoHS 準拠（注 2） ESD 最大 2kVの 「グリーン」デバイス（注 3）の保護 MOSFETゲート（ 高信頼性のためのAEC-Q101 規格に適合） ...
Diodes Incorporated
電圧: 45 V
... CENTRAL SEMICONDUCTOR BCX51、BCX52、BCX53 タイプは PNP シリコン トランジスタです。 エピタキシャル・プレーナー・プロセスで製造され、表面実装パッケージでエポキシ樹脂モールドされた、大電流汎用アンプ・アプリケーション用に設計されています。 マーキングコード次ページのマーキングコード表をご参照ください。 ...
Central Semiconductor
... Avagoは、シリコンバイポーラRF トランジスタとGaAs FETの広範なポートフォリオを持っています。 GaAs FET RF トランジスタは、低ノイズ指数と直線性の優れた組み合わせにより、基地局 LNAの第 1 段階または第 2 段階に最適です。 AvagosバイポーラRF トランジスタは、低電圧動作で最大 fTに最適化された高性能を提供し、ワイヤレス市場のバッテリ駆動アプリケーションでの使用に最適です。 ...