HAMAMATSUのPINフォトダイオード

0.85 µm帯の光ファイバ通信用に開発された高速受光デバイスです。GI-50マルチモード光ファイバ対応のレセプタクル型Si PINフォトダイオードです。 ■特長 ・高速応答: 1 GHz typ. ・GI-50マルチモード光ファイバ対応 仕様 • ...

S13993は、放射線直接検出用の未封止タイプのSI PINフォトダイオードです。受光部がAlコートされているため、紫外～近赤外域に感度がありません。 ■特長 ・高量子効率 ・高エネルギー分解能 ・低容量 ・空乏層厚: ...

S14536シリーズは、高エネルギー荷電粒子およびX線の直接検出用に設計された大面積フォトダイオードです。これらの検出器は、荷電粒子およびX線のΔE/E検出を目的とした開口部を持つPC基板上に実装されています。 ■特長 ・大面積 ・低暗電流 ・高耐圧 • 受光面サイズ : 48 × 48 mm • チップ厚さ ...

S14537シリーズは、高エネルギー荷電粒子およびX線の直接検出用に設計された大面積フォトダイオードです。これらの検出器は、荷電粒子およびX線のΔE/E検出を目的とした開口部を持つPC基板上に実装されています。 ■特長 ・大面積 ・低暗電流 ・高耐圧 • 受光面サイズ : 28 × 28 mm • チップ厚さ ...

S14605は、放射線直接検出用の未封止タイプのSI PINフォトダイオードです。高エネルギーの放射線を高効率で検出することができます。 ■特長 ・高量子効率 ・高エネルギー分解能 ・低容量 ・空乏層厚: 0.5 mm 必ずお読みください 本製品は、チップが露出している未封止製品です。チップ上の電極などが外囲器によって保護されていないため一般製品と比べ、その取り扱いには厳重な注意が必要です。本製品をご使用になる前に、以下の「未封止製品／使用上の注意」を必ずお読みください。 ...

S15137は、YAGレーザ (1.06 µm)用に開発されたSi PINフォトダイオードです。1.06 µmでの受光感度が0.57 A/W (typ.)で、従来品と比べて約1.5倍の高感度を実現しています。PIN構造のため高速応答、低容量も特長としています。また、受光面がΦ5 ...

サブマウント型モニタ用フォトダイオード ■特長 ・受光面サイズ G15553-003C: φ0.3 mm ・小型パッケージ: 2 × 2 × 1 mm ・高いチップ位置精度: ±0.075 mm 本製品は、チップが露出している未封止製品です。チップ上の電極などが外囲器によって保護されていないため一般製品と比べ、その取り扱いには厳重な注意が必要です。本製品をご使用になる前に、以下の「使用上の注意 ...

長波長タイプ (カットオフ波長: 2.55 μm) ■特長 ・カットオフ波長: 2.55 μm ・2段電子冷却 ・低価格 ・受光面サイズ: φ1 mm ・低ノイズ ・高感度 ・高信頼性 ・高速応答 ・短波長高感度: 0.4 A/W (λ=900 nm) • 受光面サイズ : φ1.0 mm • 素子数 : 1 • パッケージ : メタル • パッケージカテゴリ : TO-66 • 冷却 : 2段電子冷却 • ...

フォトダイオードとレンズを最適な位置に配置することにより、モジュール内の多重反射を従来より大幅に低減したレセプタクル型InGaAs PINフォトダイオードです。OCTなどに使用されます。 ■特長 ・高速応答: ...