Infineon /インフィニオン・テクノロジーズのMOSFETトランジスタ

電流: -16.4 A
電圧: -60 V

... ノーマルおよびロジックレベルのPチャンネルMOSFETにより、中低電力アプリケーションの設計の複雑さを軽減 DPAKパッケージのOptiMOS™ PチャンネルMOSFET 60Vは、バッテリー管理、負荷スイッチ、逆極性保護アプリケーションをターゲットとした新技術です。Pチャネル・デバイスの主な利点は、中低電力アプリケーションにおける設計の複雑さを軽減できることです。MCUとのインターフェイスが容易で、高速スイッチングが可能で、アバランシェ耐量も高いため、高品質が要求されるアプリケーションに適しています ...

電圧: 110, 265 V

... オプション） 厳しいI2fパラメータ許容度は、システムコストを低減します 周波数ジッタリングはEMIフィルタのコストを低減します低いEMIのために ヒートシンクはSOURCEに接続され、低 EMIのために 改善された自動 -restartは短絡およびオープンループフォルト状態で最大電力の 3% 未満を提供します 正確なヒステリシス熱シャットダウン機能は、リセットを必要とせずに自動的に回復します。 スタートアップストレスを最小限に抑える完全統合型ソフトスタート DRAINと他のすべてのピンの間の沿面距離 ...

電流: 24 A
電圧: 40 V

HP8KB6はスイッチング用途に最適な低オン抵抗のMOSFETです。 特長: 低オン抵抗 小型面実装パッケージ(HSOP8)で省ス ペース鉛フリー対応済み、RoHS準拠 ハロゲンフリー

電流: 0.4 A - 45 A
電圧: 36 V - 70 V

... しています。この独自技術により、完全なデジタル / アナログ制御とバーティカル･パワーMOSFETの駆動回路、保護回路をすべて同じチップ上に集積できます。 保護機能を統合したローサイド･スイッチは、大電流を安全に扱うことができるパワー･スイッチで、過酷な車載環境に対応しています。必要とするものは、簡単なTTLロジック入力（5ピン･スイッチの場合はCMOSロジック入力）のみです。こうしたデバイスは、パワーMOSFETとのピン互換性を持ち、リアルタイムでの負荷制御を保証するだけでなく、過熱保護されているため ...

電圧: -400 V - 1,000 V

... ヴィシェイ社は、低消費電力 MOSFETの世界一のメーカーです。 Vishay SiliconixパワーMOSFET 製品ラインには、チップスケールMICRO FOOT® や熱的に高度なPowerPAK® ファミリーなど、30 種類以上のパッケージ・タイプのデバイスが含まれています。 構成オプションには、コパッケージおよびシングルダイMOSFETとショットキー・ダイオードの組み合わせデバイス、同期整流式降圧コンバータ用に最適化されたハイサイドおよびローサイドMOSFETを組み合わせた非対称 ...

電圧: 50 V

... : セントラルセミコンダクターCMKT3920（2つのシングルNPNトランジスタ）は、 省スペースSOT-363 UltraMini™ パッケージのデュアルコンビネーションで、小信号汎用アンプおよびスイッチングアプリケーション向けに設計されています。 マーキングコード:K20 特徴: • UltraMini™ 省スペースパッケージ。2つの3920 NPNトランジスタを含む。 ...

電圧: 20, 50 V

... NチャネルMOSFETおよびNPNトランジスタを1つのパッケージに搭載した 低オン抵抗 超低ゲートスレッショルド電圧、最大 1.0V 低入力容量 高速スイッチング速度 低入出力リーク 超小型表面実装パッケージ リード、ハロゲンおよびアンチモンフリー、RoHS 準拠（注 2） ESD 最大 2kVの 「グリーン」デバイス（注 3）の保護 MOSFETゲート（ ...

電流: 0.12, 0.28, 0.2 mA
電圧: 60 V

... 代表的なアプリケーション 信号処理、論理レベル コンバータ, ドライバ 商用グレード サフィックス-Q：AEC-Q101準拠*) サフィックス-AQ：AEC-Q101適合*) 特徴 高速スイッチング時間 RoHS、REACHに準拠 紛争鉱物L) ...