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特徴
タイプ
MOSFET
技術
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詳細
特徴 シリコンチップはの指示銅結ぶ 基質 -高い発電の消滅 -隔離された土台表面 - 2500ボルトの電気分離 -キャパシタンスを記録する低い下水管(< 40 pF) 速いCoolMOS™ 1)力MOSFET第4 生成 -高い妨害の機能 -最も低い抵抗 -なだれはunclampedのために評価した 誘導の切換え(UIS) -低い熱抵抗 減らされた破片の厚さが原因で 高められた総出力密度 SiCはダイオードを後押しする -逆回復流れ無し
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*価格には税、配送費、関税また設置・作動のオプションに関する全ての追加費用は含まれておりません。表示価格は、国、原材料のレート、為替相場により変動することがあります。
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