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... この25Gbps フォ トダ イオ ード チップは、上面照射型の高データレートPIN フォ トダ イオ ード チップであり、アクティブエリアはΦ32μmです。高応答性、低キャパシタンス、低暗電流、優れた信頼性を特長とし、主に高性能25Gbpsトランスインピーダンスアンプ(TIA)との組み合わせにより、長距離アプリケーション、シングルモ ードファイバ光レシーバによる最大25Gbpsの高速データ転送に対応します。 1.アクティブエリアはΦ32μm。 2.メサ構造、上部にグランド-信号-グランド（GSG）ボンドパッド。 3 ...
PHOGRAIN TECHNOLOGY（SHENZHEN） CO., LTD.
... この25Gbps フォ トダ イオ ード チップは、上面照射型の高データレートPIN フォ トダ イオ ード チップであり、アクティブエリアはΦ32μmです。高応答性、低キャパシタンス、低暗電流、優れた信頼性を特長とし、主に高性能25Gbpsトランスインピーダンスアンプ(TIA)との組み合わせにより、長距離アプリケーション、シングルモ ードファイバ光レシーバによる最大25Gbpsの高速データ転送に対応します。 1.アクティブエリアはΦ32μm。 2.メサ構造、上部にグランド-信号-グランド（GSG）ボンドパッド。 3 ...
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... この高データレート10Gbps フォ トダ イオ ード チップは、InGaAs/InP PIN構造で、上面照射型です。高耐圧、低キャパシタンス、低暗電流、アクティブエリアΦ50μm、TO-CANパッケージのワイヤボンディング用にアノ ード、カソ ードボンドパッドを上部に搭載しています。10Gbpsレシーバーへの応用が可能です。 1.アクティブエリアΦ50μm 2.低キャパシタンス。 3.高い責任。 4.暗電流が低い。 5.優れた信頼性：すべての チップはTelcordia ...
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... この高データレート10Gbps フォ トダ イオ ード チップは、InGaAs/InP PIN構造で、上面照射型です。高耐圧、低キャパシタンス、低暗電流、アクティブエリアΦ50μm、TO-CANパッケージのワイヤボンディング用にアノ ード、カソ ードボンドパッドを上部に搭載しています。10Gbpsレシーバーへの応用が可能です。 1.アクティブエリアΦ20μm 2.上部にGSG（Ground-Signal-Ground）ボンドパッド構造。 3.低暗電流、低容量、高信頼性。 4.最大25Gbpsの日付レート。 5 ...
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... 25Gbpsアバランシェ フォ トダ イオ ード チップ(APD チップ)は、一種のGS(Ground-Signal)電極構造で、上面照射アクティブエリアはΦ16μmです。本製品の特長は、高逓倍、低キャパシタンス、高帯域幅、低温度係数、優れた信頼性であり、25G EPON、5G Wireless、100GBASE-ER4への応用が可能です。 1.アクティブエリアはΦ16μm。 2.高逓倍。 3.高データレート：25Gbps以上 4.低キャパシタンス。 5.低い温度係数。 6.優れた信頼性すべての チップはTelcordia ...
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... エッジ型InGaAs/InPモニターPIN フォ トダ イオ ード チップは、アクティブエリアが広く、アノ ードとダブルカソ ードを上面に持つ平面構造です。エッジ検出可能エリアサイズは100μmX80μmで、980nmから1620nmの波長領域で高い応答性を示します。各種LD、FTTHデジタル光通信、光インターコネクションのバックファセットからの光出力モニタリングに適用されます。 1.上部にNPNボンドパッドを装備。 2.エッジ検出可能エリア：100μmX80μm。 3.高い責任。 4.低い暗電流。 5.低動作 ...
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... この56GBaud フォ トダ イオ ード チップは、上面照射型、メサ構造の高データレートPIN フォ トダ イオ ード チップであり、アクティブエリアサイズはΦ16μmです。その特徴は、高応答性、低キャパシタンス、低暗電流、優れた信頼性を持ち、主に低ノイズトランスインピーダンスアンプ（TIA）との組み合わせで、4X56GBuad ...
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... XSJ-10-EMPD-120Rはエッジ入射型InGaAs/InPモニターPIN フォ トダ イオ ード チップです。 フォ トダ イオ ードのエッジ検出可能エリアサイズは120μmX60μmで、データセンターやテレコムアプリケーションで使用されるエッジ発光レーザーに適しており、980nm～1620nmの波長領域で優れた応答性を提供します。製品寸法は、特に非密閉パッケージ用に調整されています。 1.上部にPNボンディングパッドがあり、非密閉パッケージに適しています。 2.エッジ検出可能エリア120μmX60μm。 ...
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... 上面照射型InGaAs/InPモニターPIN フォ トダ イオ ード チップは、上面がアノ ード、背面がカソ ードの平面構造で、大面積のアクティブエリアを有しています。アクティブエリアはΦ500μmで、1100nmから1700nmの波長領域で高い応答性を示します。各種LDのバックファセットから出力される光パワーのモニタリングに応用できる。 1.アクティブエリアはΦ500μm。 2.高信頼性。 3.高い直線性。 4.低暗電流。 5.低動作バイアス電圧。 6.AnSnはんだプロセスに対応。 7. ...
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... 112GBaud/200Gbps底面照射型PIN PD チップ 製品紹介 この112GBaud/200Gbps フォ トダ イオ ード チップは、 チップ底面にΦ90μmのレンズを内蔵した底面照射型、メサ構造の高データレートPIN フォ トダ イオ ード チップです。高帯域幅、高応答性、低キャパシタンス、低暗電流、高信頼性を特長とし、シングルモ ードファイバ波長980nm～1650nmに対応、最大200Gbpsの長波長光受信に対応します。 特徴 1.Φ90μmレンズを底面に内蔵。 2.GSG(Ground-Signal-Ground ...
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