ROHM Semiconductor/半導体・電子部品のロームの電界効果トランジスタ

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MOSFETトランジスタ
MOSFETトランジスタ
IPD900P06NM

電流: -16.4 A
電圧: -60 V

... スイッチングが可能で、アバランシェ耐量も高いため、高品質が要求されるアプリケーションに適しています。ノーマルレベルとロジックレベルがあり、広いRDS(on)範囲を特徴とし、低Qgにより低負荷時の効率を向上させます。 特徴の概要 広いRDS(on)範囲 ノーマルレベルとロジックレベルが使用可能 利点 MCUへの容易なインターフェース 低Qgによる低負荷時の効率向上 高速スイッチング アバランシェ耐衝撃性 潜在的アプリケーション バッテリー 民生用 産業オートメーション 産業用ドライブ ...

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Infineon Technologies AG/インフィニオン・テクノロジーズ
MOSFETトランジスタ
MOSFETトランジスタ
700 V | TOPSwitch-HX

電圧: 110, 265 V

... オプション) 厳しいI2fパラメータ許容度は、システムコストを低減します 周波数ジッタリングはEMIフィルタのコストを低減します低いEMIのために ヒートシンクはSOURCEに接続され、低 EMIのために 改善された自動 -restartは短絡およびオープンループフォルト状態で最大電力の 3% 未満を提供します 正確なヒステリシス熱シャットダウン機能は、リセットを必要とせずに自動的に回復します。 スタートアップストレスを最小限に抑える完全統合型ソフトスタート DRAINと他のすべてのピンの間の沿面距離 ...

FETトランジスタ
FETトランジスタ

... Avagoは、シリコンバイポーラRFトランジスタとGaAs FETの広範なポートフォリオを持っています。 GaAs FET RFトランジスタは、低ノイズ指数と直線性の優れた組み合わせにより、基地局 LNAの第 1 段階または第 2 段階に最適です。 AvagosバイポーラRFトランジスタは、低電圧動作で最大 fTに最適化された高性能を提供し、ワイヤレス市場のバッテリ駆動アプリケーションでの使用に最適です。 ...

電界効果トランジスタ
電界効果トランジスタ
COM-MOSFET

電流: 2 A
電圧: 36 V

... 二乗平均平方根電圧を下げることができます(例:LED照明の調光)。 対応機器 Arduino、Raspberry Piなど。 制御電圧 min.2V インターフェイス 2 x 2ピン端子台および4ピンJSTコネクタ ピン配置 1.GND: グランド 2.VCC:電圧 3.NC:未接続 4. SIG: 信号 特 長 MOSFETはソース電圧がない場合、SBC上にも電流を流す PWMにより実効電圧を下げることができる 外形寸法 40 ...

FETトランジスタ
FETトランジスタ
ATF-33143

... 超低騒音 PHEMTが特徴です。 このプロセスは、重要なセルラー/PCS 基地ステーションおよびその他のワイヤレスRFアプリケーション向けに非常に低いノイズ指数、高い部品間の一貫性、優れた信頼性を提供するように最適化されています。 ATF-33143は小型 SOT-343パッケージでパッケージされています。 NF = 0.5デシベル、Ga = 15デシベル、P1デシベル = 22デシベル、および4V、80mA(2GHz)でのOIP33.5デシベル = 33.5デシベル = ...

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Broadcom
HEMTトランジスタ
HEMTトランジスタ
GNP1070TC-Z

電流: 20 A
電圧: 650 V

GNP1070TC-Zは650V GaN HEMTです。業界最高クラスのFOM(Ron*Ciss、Ron*Coss)を有し、低いオン抵抗と高速スイッチング性能を最大限生かすことで省エネ・小型化に貢献するEcoGaN™シリーズの製品であり、ESD保護機能付きで高信頼性設計にも貢献します。また、大電流対応かつ放熱性にも優れる汎用性の高いDFNパッケージは、実装工程でのハンドリングを容易にします。

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ROHM Semiconductor/半導体・電子部品のローム
MOSFETトランジスタ
MOSFETトランジスタ
L9338

電流: 0.4 A - 45 A
電圧: 36 V - 70 V

... 保護します。STの最新の5ピン・デバイスは診断機能も提供しています。 ローサイド・スイッチは、-40°C~+150°Cで動作するように設計されています。 STのローサイド・スイッチ/ドライバ製品ポートフォリオには、デジタル・ステータスと10 mΩ~ 300 mΩの範囲のオン抵抗値を持つシングルおよびデュアル・ドライバで構成されます。これらの多機能デバイスは、カー・ボディ・エレクトロニクスにおける多くのパワー・アプリケーションに対応し、さまざまなパッケージで提供されます。

MOSFETトランジスタ
MOSFETトランジスタ
IRF series

電圧: -400 V - 1,000 V

... ヴィシェイ社は、低消費電力 MOSFETの世界一のメーカーです。 Vishay SiliconixパワーMOSFET 製品ラインには、チップスケールMICRO FOOT® や熱的に高度なPowerPAK® ファミリーなど、30 種類以上のパッケージ・タイプのデバイスが含まれています。 構成オプションには、コパッケージおよびシングルダイMOSFETとショットキー・ダイオードの組み合わせデバイス、同期整流式降圧コンバータ用に最適化されたハイサイドおよびローサイドMOSFETを組み合わせた非対称 ...

NPNトランジスタ
NPNトランジスタ
CMKT3920

電圧: 50 V

... 説明: セントラルセミコンダクターCMKT3920(2つのシングルNPNトランジスタ)は、 省スペースSOT-363 UltraMini™ パッケージのデュアルコンビネーションで、小信号汎用アンプおよびスイッチングアプリケーション向けに設計されています。 マーキングコード:K20 特徴: • UltraMini™ 省スペースパッケージ。2つの3920 NPNトランジスタを含む。 ...

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Central Semiconductor
バイポーラ型トランジスタ
バイポーラ型トランジスタ
DMB series

電圧: 20, 50 V

... NチャネルMOSFETおよびNPNトランジスタを1つのパッケージに搭載した 低オン抵抗 超低ゲートスレッショルド電圧、最大 1.0V 低入力容量 高速スイッチング速度 低入出力リーク 超小型表面実装パッケージ リード、ハロゲンおよびアンチモンフリー、RoHS 準拠(注 2) ESD 最大 2kVの 「グリーン」デバイス(注 3)の保護 MOSFETゲート( 高信頼性のためのAEC-Q101 規格に適合) ...

MOSFETトランジスタ
MOSFETトランジスタ
2N700 series

電流: 0.12, 0.28, 0.2 mA
電圧: 60 V

... 代表的なアプリケーション 信号処理、論理レベル コンバータ, ドライバ 商用グレード サフィックス-Q:AEC-Q101準拠*) サフィックス-AQ:AEC-Q101適合*) 特徴 高速スイッチング時間 RoHS、REACHに準拠 紛争鉱物L) ...

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