SETsafe SETfuseのテレコミュニケーションネットワーク用ガス放電管

最大放電電流: 500 A
始動電圧: 90 V - 240 V

... 説明 ガス放電管(GDT)は保護装置である。 ある特定の割合の希ガスで満ちている、または 金属電極と金属化セラミックスの間の空間に 金属電極と金属化されたセラミックとの間 を充填し、高温で封止することにより、シングルギャップまたはマルチギャップスイッチ型の保護素子を形成する。保護回路や機器が 保護回路や機器がサージにさらされると、GDT は高インピーダンス状態から低インピーダンス状態に変化し、サージエネルギーを放出して回路の残留電圧を低下させます。 回路の残留電圧を低下させ、機器や人体を保護します ...

最大放電電流: 2,000 A
始動電圧: 90 V - 600 V

... 説明 ガス放電管(GDT)は保護装置である。 ある特定の割合の希ガスで満ちている、または 金属電極と金属化セラミックスの間の空間に 金属電極と金属化されたセラミックとの間 を充填し、高温で封止することにより、シングルギャップまたはマルチギャップスイッチ型の保護素子を形成する。保護回路や機器が 保護回路や機器がサージに見舞われると GDTは高インピーダンス状態から低インピーダンス状態に変化し、サージエネルギーを放出します。 サージエネルギーを放出し、回路の残留電圧を低下させます。 機器や人体を過渡過電圧 ...

最大放電電流: 5,000 A
始動電圧: 70 V - 800 V

... ガス放電管(GDT)は、ある割合の希ガス、または希ガスを充填した保護装置である。 ガス放電管（GDT）は、ある割合の希ガス、または混合ガスや他の放電媒体で満たされている保護装置です。 金属電極と金属化セラミックスの間の空間に 金属電極とメタライズド・セラミックスの間の空間に、ある割合の希ガスや混合ガス、その他の放電媒体を封入し を充填し、高温で封止することにより、シングルギャップまたはマルチギャップのスイッチ型保護素子を形成する。保護回路や機器が 保護回路や機器がサージにさらされると、GDT は高 ...

最大放電電流: 5,000 A
始動電圧: 75 V - 800 V

... 説明 ガス放電管(GDT)は保護装置である。 ある特定の割合の希ガスで満ちている、または 金属電極と金属化セラミックスの間の空間に 金属電極と金属化されたセラミックとの間 を充填し、高温で封止することにより、シングルギャップまたはマルチギャップスイッチ型の保護素子を形成する。保護回路や機器が 保護回路や機器がサージにさらされると、GDT は高インピーダンス状態から低インピーダンス状態に変化し、サージエネルギーを放出して回路の残留電圧を低下させます。 回路の残留電圧を低下させ、機器や人体を保護します ...

最大放電電流: 5 A
始動電圧: 75 V - 1,200 V

... 説明 ガス放電管(GDT)は保護装置である。 ある特定の割合の希ガスで満ちている、または 金属電極と金属化セラミックスの間の空間に 金属電極と金属化されたセラミックとの間 を充填し、高温で封止することにより、シングルギャップまたはマルチギャップスイッチ型の保護素子を形成する。保護回路や機器が 保護回路や機器がサージにさらされると、GDT は高インピーダンス状態から低インピーダンス状態に変化し、サージエネルギーを放出して回路の残留電圧を低下させます。 回路の残留電圧を低下させ、機器や人体を保護します ...

最大放電電流: 20,000 A
始動電圧: 70 V - 800 V

... ガス放電管(GDT)は、ある割合の希ガス、または希ガスを充填した保護装置である。 ガス放電管（GDT）は、ある割合の希ガス、または混合ガスや他の放電媒体で満たされている保護装置です。 金属電極と金属化セラミックスの間の空間に 金属電極とメタライズド・セラミックスの間の空間に、ある割合の希ガスや混合ガス、その他の放電媒体を封入し、高温で密封してシングルギャップまたはマルチギャップとする保護装置です、 を充填し、高温で封止することにより、シングルギャップまたはマルチギャップのスイッチ型保護素子を形成する ...

最大放電電流: 20,000 A
始動電圧: 75 V - 800 V

... 説明 ガス放電管(GDT)は保護装置である。 ある特定の割合の希ガスで満ちている、または 金属電極と金属化セラミックスの間の空間に 金属電極と金属化されたセラミックとの間 を充填し、高温で封止することにより、シングルギャップまたはマルチギャップスイッチ型の保護素子を形成する。保護回路や機器が 保護回路や機器がサージに見舞われると GDTは高インピーダンス状態から低インピーダンス状態に変化し、サージエネルギーを放出します。 サージエネルギーを放出し、回路の残留電圧を低下させます。 機器や人体を過渡過電圧 ...

最大放電電流: 10,000, 5,000 A
始動電圧: 70 V - 600 V

... 説明 ガス放電管(GDT)は保護装置である。 ある特定の割合の希ガスで満ちている、または 金属電極と金属化セラミックスの間の空間に 金属電極と金属化されたセラミックとの間 を充填し、高温で封止することにより、シングルギャップまたはマルチギャップスイッチ型の保護素子を形成する。保護回路や機器が 保護回路や機器がサージに見舞われると GDTは高インピーダンス状態から低インピーダンス状態に変化し、サージエネルギーを放出します。 サージエネルギーを放出し、回路の残留電圧を低下させます。 機器や人体を過渡過電圧 ...

最大放電電流: 5,000, 10,000, 3,000 A
始動電圧: 75 V - 3,600 V

... ガス放電管(GDT)は、ある割合の希ガス、または希ガスを充填した保護装置である。 ガス放電管（GDT）は、ある割合の希ガス、または混合ガスや他の放電媒体で満たされている保護装置です。 金属電極と金属化セラミックスの間の空間に 金属電極とメタライズド・セラミックスの間の空間に、ある割合の希ガスや混合ガス、その他の放電媒体を封入し、高温で密封してシングルギャップまたはマルチギャップとする保護装置です、 を充填し、高温で封止することにより、シングルギャップまたはマルチギャップのスイッチ型保護素子を形成する ...

最大放電電流: 5,000, 10,000, 20,000 A
始動電圧: 75 V - 3,600 V

... 説明 ガス放電管(GDT)は保護装置である。 ある特定の割合の希ガスで満ちている、または 金属電極と金属化セラミックスの間の空間に 金属電極と金属化されたセラミックとの間 を充填し、高温で封止することにより、シングルギャップまたはマルチギャップスイッチ型の保護素子を形成する。保護回路や機器が 保護回路や機器がサージにさらされると、GDT は高インピーダンス状態から低インピーダンス状態に変化し、サージエネルギーを放出して回路の残留電圧を低下させます。 回路の残留電圧を低下させ、機器や人体を保護します ...