STMicroelectronicsのIGBTトランジスタ

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IGBTトランジスタ モジュール
IGBTトランジスタ モジュール
QC962-8A

IGBTトランジスタ モジュール
IGBTトランジスタ モジュール
QP12W05S-37

IGBTトランジスタ モジュール
IGBTトランジスタ モジュール
QP12W08S-37A

電流: 25 mA
電圧: 13 V

... 特徴 - 絶縁型DC-DC電源内蔵、単一電源による 単一電源駆動トポロジー - 3750VACの高い絶縁電圧 - 入力信号の周波数は最大20kHz - フォールト回路内蔵,フォールトフィードバック端子付き - 遮断時間中は駆動信号を無視し,遮断時間終了後に故障 ブロッキング終了後にリセット - 故障検出回路の制御時間を調整可能 - 保護用ソフトカットオフ時間調整可能 - SIPパッケージ - EN62368承認 ...

IGBTトランジスタ
IGBTトランジスタ
StakPak

電流: 3,000, 1,300, 2,000 A
電圧: 4,500, 5,200 V

... StakPakは、マルチデバイススタックでのチップ圧力の均一化を保証する先進のモジュール式ハウジングに収められた高出力絶縁ゲートバイポーラトランジスタIGBT)プレスパックおよびダイオードのファミリです。 IGBTの最も一般的なパッケージは絶縁モジュールですが、直列接続を必要とするアプリケーションでは、電気的・機械的に直列接続が容易で、ショート状態での導通が可能なため、プレスパックが好まれています(冗長性が要求される場合に不可欠な機能です)。IGBTには複数の並列チップが搭載されているため、従来 ...

IGBTトランジスタ
IGBTトランジスタ
XPT™ series

電圧: 1,700, 2,500, 4,500 V

独自の薄ウエハー XPT™ 技術と最先端の IGBT プロセスを用いて開発されたこれらの機器は、より低い熱抵抗、低テール電流、低エネルギー損失、高速スイッチング機能などの特長があります。オン状態電圧の正温度係数により並列で使用できるこれらの高電圧 IGBT は、直列接続の低電圧機器よりもコスト効率に優れたソリューションを提供します。これにより、関連するゲート駆動回路の削減、設計の簡略化、そしてシステム全体の信頼性の向上に貢献します。 オプションとして、逆回復時間が短い高速回復ダイオードを同梱 ...

IGBTトランジスタ モジュール
IGBTトランジスタ モジュール
MG12600WB-BR2MM series

電流: 600 A
電圧: 1,200 V

リテルヒューズの IGBT モジュールは、最新の IGBT 技術の優れた効率と高速のスイッチングを堅牢かつ柔軟なフォーマットで提供しています。電力制御アプリケーションでの使用に対し、リテルヒューズは、柔軟で効率的なモーター制御やインバータアプリケーションに適した各種 IGBT モジュールを提供しています。 回路設計者の厳格な性能基準を満たすため、標準のソリューションとカスタマイズソリューションの両方をご用意しています。 特長: ...

IGBTトランジスタ
IGBTトランジスタ
IKP28N65ES5

電流: 28 A
電圧: 650 V

... 不要。 最大接合部温度 Tvj = 175°C JEDEC規格による認証 利点 TO-220パッケージで高い電力密度 VCEpeakクランプ回路不要 ゲートクランピング用部品が不要 高いEMI特性 並列接続に適している アプリケーション エネルギー貯蔵システム 無停電電源(UPS)

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Infineon Technologies AG/インフィニオン・テクノロジーズ
IGBTトランジスタ
IGBTトランジスタ
5SN series

電流: 150 A - 3,600 A
電圧: 1,200, 1,700, 3,300, 4,500, 6,500 V

日立エナジーのIGBTパワーモジュールは、1700~6500Vの範囲で、シングル、デュアル/フェーズレグ、チョッパIGBT、デュアルダイオードモジュールとして利用できます。高出力HiPak IGBTモジュールは、ソフトスイッチ性能と記録的な安全動作領域(SOA)との組み合わせにより、低損失を実現しています。新たに導入された62PakおよびLoPak高速スイッチング中出力IGBTモジュールは、スイッチング損失が最も低く、フルスクエアSOAと標準パッケージを備えたフル175℃動作で、ドロップイン交換が ...

絶縁ゲートバイポーラトランジスタートランジスタ
絶縁ゲートバイポーラトランジスタートランジスタ
BID series

電流: 5, 20, 30, 50 A
電圧: 600 V

... Bourns® IGBTディスクリートBIDシリーズは、MOSゲートとバイポーラトランジスタの技術を組み合わせ、高電圧および大電流アプリケーションに最適なコンポーネントを実現します。このデバイスは、高度なトレンチゲート・フィールドストップ技術を使用しており、コレクタ・エミッタ飽和電圧(VCE(sat))の低下とスイッチング損失の低減を実現しながら、ダイナミック特性の制御性を高めています。さらに、この構造によりデバイスのロバスト性が向上し、RTHが低くなります。Bourns® ...

IGBTトランジスタ
IGBTトランジスタ
RV1S series

車載用フォトカプラ(トランジスタ出力,IC出力)は小型パッケージでありながら、高絶縁耐圧(3.75KV)を確保し、135℃までの高温動作を実現。安全性確保、温度特性を含めたお客様での設計を容易にします。 [注意] 当社は当社製品の品質水準を「標準品質」および「高品質水準」に分類しており、ここに掲載しております製品は、すべて 高品質水準」です。 データシートの「ご注意書き」をご確認の上、ご使用いただきますよう、お願いいたします。

IGBTトランジスタ
IGBTトランジスタ
RGW00TS65CHR

電流: 50 A
電圧: 650 V

RGWxx65Cシリーズは還流ダイオードにSiCショットキーバリアダイオードを採用して低損失化を実現した、650V耐圧のIGBTです。本製品は車載信頼性規格「AEC-Q101」に準拠しています。xEVの車載充電器(オンボードチャージャー)やDC/DCコンバータ、太陽光発電のパワーコンディショナー、無停電電源装置(UPS)といった過酷な環境下でも安心して使用することができます。

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ROHM Semiconductor/半導体・電子部品のローム
IGBTトランジスタ モジュール
IGBTトランジスタ モジュール
STPOWER

... SLLIMMインテリジェントパワーモジュールは、最適化されたシリコンチップの組み合わせを可能にするIPMファミリに属し、電源段(短絡堅牢 IGBTおよびフリーホイーリングダイオード)、駆動ネットワーク(ディスクリートゲート抵抗、高電圧ゲートドライバ、および統合された3つの主要なインバータブロックが組み込まれています ブートストラップ・ダイオード)および保護およびオプション機能(スマートシャットダウン機能、温度を制御するNTCセンサー、短絡と過電流の両方に対するフォルト保護用コンパレータ、高度な電流検出用 ...

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STMicroelectronics
IGBTトランジスタ モジュール
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SKiiP 11NAB065V1

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SEMIKRON
バイポーラ型トランジスタ
バイポーラ型トランジスタ

電流: 10 A - 1,600 A
電圧: 600 V - 1,700 V

... Greegooは、異なるトポロジー、電流および電圧定格のIGBT(絶縁ゲート型バイポーラトランジスタ)モジュールを提供しています。15Aから1600Aまで、電圧クラスは600Vから1700Vまで、IGBTモジュールは様々なアプリケーションで使用され、迅速かつ簡単に組み立てるための焼結、スプリングまたはプレスフィット接触などの主要技術を備えています。CIB(コンバーターインバーターブレーキ)、ハーフブリッジ、Hブリッジ、6パック、3レベルなどのさまざまなトポロジーがあり、ほぼすべての応用分野をカバーします ...

IGBTトランジスタ モジュール
IGBTトランジスタ モジュール
RT25PI120B9H

電流: 10, 25 A
電圧: 1,200 V

... 特長 • トレンチ + Filed Stop IGBTテクノロジー • 10ps 短絡機能 • 正の温度係数を備えたVersât) • 低インダクタンスケース • 高速 & ソフトな逆回収防止 FWD • DBCテクノロジーを使用した絶縁銅ベースプレート 典型的な用途 • モータ用インバータ ドライブ • 空気状態 • 無停電電源装置 ...

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Rongtech Industry (Shanghai) Inc.,
IGBTトランジスタ
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