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... 説明: セントラルセミコンダクタ CMPFJ175およびCMPFJ176は、 低レベルアンプ用途向けに設計されたSOT-23ケースで製造されたエポキシ成形PチャネルJFETです。 マーキングコード： CMPFJ175：6W CMPFJ176：6X ...
Central Semiconductor
電圧: 30 V
... 説明: セントラルセミコンダクタ CMPFJ175およびCMPFJ176は、 低レベルアンプ用途向けに設計されたSOT-23ケースで製造されたエポキシ成形PチャネルJFETです。 マーキングコード： CMPFJ175：6W CMPFJ176：6X ...
Central Semiconductor
... Avagoは、シリコンバイポーラRFトランジスタとGaAs FETの広範なポートフォリオを持っています。 GaAs FET RFトランジスタは、低ノイズ指数と直線性の優れた組み合わせにより、基地局 LNAの第 1 段階または第 2 段階に最適です。 AvagosバイポーラRFトランジスタは、低電圧動作で最大 fTに最適化された高性能を提供し、ワイヤレス市場のバッテリ駆動アプリケーションでの使用に最適です。 ...
... 超低騒音 PHEMTが特徴です。 このプロセスは、重要なセルラー/PCS 基地ステーションおよびその他のワイヤレスRFアプリケーション向けに非常に低いノイズ指数、高い部品間の一貫性、優れた信頼性を提供するように最適化されています。 ATF-33143は小型 SOT-343パッケージでパッケージされています。 NF = 0.5デシベル、Ga = 15デシベル、P1デシベル = 22デシベル、および4V、80mA（2GHz）でのOIP33.5デシベル = 33.5デシベル = ...
Broadcom
... ATF-35143は、4ピンSC-70 表面実装プラスチックパッケージに収められた高ダイナミックレンジ、低ノイズ、PHEMTです。 ...
Broadcom
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