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GaN HEMTs、GaAs FETs 、MMICs等の製品は、LTEをはじめとする移動体通信、衛 星通信、基地局間通信等の広帯域・大容量の無線通信システム、および高解像度 の気象観測・航空管制レーダーを実現します。
電流: 50 mA
電圧: 30 V
... CMPFJ175 および CMPFJ176 は、SOT-23 ケースのエポキシモールド P チャンネル JFET です。 SOT-23ケースで製造され、低レベルアンプ用に設計されています。 マーキングコード CMPFJ175: 6W CMPFJ176: 6X CMPFJ177: 6Y ...
... 超低騒音 PHEMTが特徴です。 このプロセスは、重要なセルラー/PCS 基地ステーションおよびその他のワイヤレスRFアプリケーション向けに非常に低いノイズ指数、高い部品間の一貫性、優れた信頼性を提供するように最適化されています。 ATF-33143は小型 SOT-343パッケージでパッケージされています。 NF = 0.5デシベル、Ga = 15デシベル、P1デシベル = 22デシベル、および4V、80mA（2GHz）でのOIP33.5デシベル = 33.5デシベル = ...
Broadcom
... ATF-35143は、4ピンSC-70 表面実装プラスチックパッケージに収められた高ダイナミックレンジ、低ノイズ、PHEMTです。 ...
Broadcom
... Avagoは、シリコンバイポーラRFトランジスタとGaAs FETの広範なポートフォリオを持っています。 GaAs FET RFトランジスタは、低ノイズ指数と直線性の優れた組み合わせにより、基地局 LNAの第 1 段階または第 2 段階に最適です。 AvagosバイポーラRFトランジスタは、低電圧動作で最大 fTに最適化された高性能を提供し、ワイヤレス市場のバッテリ駆動アプリケーションでの使用に最適です。 ...