{{product.productLabel}} {{product.model}}
{{#if product.featureValues}}{{product.productPrice.formattedPrice}} {{#if product.productPrice.priceType === "PRICE_RANGE" }} - {{product.productPrice.formattedPriceMax}} {{/if}}
{{#each product.specData:i}}
{{name}}: {{value}}
{{#i!=(product.specData.length-1)}}
{{/end}}
{{/each}}
{{{product.idpText}}}
{{product.productLabel}} {{product.model}}
{{#if product.featureValues}}{{product.productPrice.formattedPrice}} {{#if product.productPrice.priceType === "PRICE_RANGE" }} - {{product.productPrice.formattedPriceMax}} {{/if}}
{{#each product.specData:i}}
{{name}}: {{value}}
{{#i!=(product.specData.length-1)}}
{{/end}}
{{/each}}
{{{product.idpText}}}
電圧: 60 V
... NPNエピタキシャルシリコントランジスタ 応用例 本製品は汎用品であり、様々な用途に適しています。 ...
電流: 24 A
電圧: 1,700 V
... 高精細CRTディスプレイ用に開発された「Enhanced High Voltage Structure」（EHVS1）を採用した「Diffused Collector in Planar」技術を採用しています。 このHDシリーズは、シリコン効率を向上させることで、水平偏向ステージの性能を向上させています。 すべての特徴 最先端技術：拡散コレクター "エンハンスドジェネレーション "EHVS1 動作温度変化の影響を受けにくい 最適な駆動条件をより広く提供 U.L.規格に準拠した完全絶縁型パワーパッケージ ...
電流: 81 A
電圧: 1,200 V
SCT4シリーズは短絡耐量時間を改善し、業界トップクラスの低オン抵抗を実現した第4世代の製品です。このシリーズは従来品に比べてオン抵抗を約40%、スイッチング損失を約50%低減しています。また、ゲート-ソース間電圧がより扱いやすい15Vにも対応しており、アプリケーションの設計しやすさが向上しています。
ROHM Semiconductor/半導体・電子部品のローム
電流: 51 A
電圧: 750 V
SCT4シリーズは短絡耐量時間を改善し、業界トップクラスの低オン抵抗を実現した第4世代の製品です。このシリーズは従来品に比べてオン抵抗を約40%、スイッチング損失を約50%低減しています。また、ゲート-ソース間電圧がより扱いやすい15Vにも対応しており、アプリケーションの設計しやすさが向上しています。
ROHM Semiconductor/半導体・電子部品のローム
電流: 75 A
電圧: 1,200 V
SCT4シリーズは短絡耐量時間を改善し、業界トップクラスの低オン抵抗を実現した第4世代の製品です。このシリーズは従来品に比べてオン抵抗を約40%、スイッチング損失を約50%低減しています。また、ゲート-ソース間電圧がより扱いやすい15Vにも対応しており、アプリケーションの設計しやすさが向上しています。
ROHM Semiconductor/半導体・電子部品のローム
電流: 31 A
電圧: 750 V
SCT4シリーズは短絡耐量時間を改善し、業界トップクラスの低オン抵抗を実現した第4世代の製品です。このシリーズは従来品に比べてオン抵抗を約40%、スイッチング損失を約50%低減しています。また、ゲート-ソース間電圧がより扱いやすい15Vにも対応しており、アプリケーションの設計しやすさが向上しています。
ROHM Semiconductor/半導体・電子部品のローム
電流: 24 A
電圧: 1,200 V
SCT4シリーズは短絡耐量時間を改善し、業界トップクラスの低オン抵抗を実現した第4世代の製品です。このシリーズは従来品に比べてオン抵抗を約40%、スイッチング損失を約50%低減しています。また、ゲート-ソース間電圧がより扱いやすい15Vにも対応しており、アプリケーションの設計しやすさが向上しています。
ROHM Semiconductor/半導体・電子部品のローム
電流: 98 A
電圧: 750 V
SCT4シリーズは短絡耐量時間を改善し、業界トップクラスの低オン抵抗を実現した第4世代の製品です。このシリーズは従来品に比べてオン抵抗を約40%、スイッチング損失を約50%低減しています。また、ゲート-ソース間電圧がより扱いやすい15Vにも対応しており、アプリケーションの設計しやすさが向上しています。
ROHM Semiconductor/半導体・電子部品のローム
電流: 34 A
電圧: 750 V
SCT4シリーズは短絡耐量時間を改善し、業界トップクラスの低オン抵抗を実現した第4世代の製品です。このシリーズは従来品に比べてオン抵抗を約40%、スイッチング損失を約50%低減しています。また、ゲート-ソース間電圧がより扱いやすい15Vにも対応しており、アプリケーションの設計しやすさが向上しています。
ROHM Semiconductor/半導体・電子部品のローム
電流: 31 A
電圧: 750 V
SCT4系列是改善了短路耐受时间并实现了业界超低导通电阻的第4代产品。与以往产品相比，该系列产品的导通电阻降低了约40%，开关损耗降低了约50%。另外，该产品还支持更容易处理的15V栅-源电压，使应用产品的设计更容易。
ROHM Semiconductor/半導体・電子部品のローム
電流: 26 A
電圧: 1,200 V
... のNch SiCパワーMOSFETです。トレンチ構造によりオン抵抗を低減しています。AEC-Q101に準拠した高信頼性の車載グレード製品です。 ロームの第4世代SiC MOSFET SCT4シリーズは短絡耐量時間を改善し、業界トップクラスの低オン抵抗を実現した第4世代の製品です。このシリーズは従来品に比べてオン抵抗を約40%、スイッチング損失を約50%低減しています。また、ゲート-ソース間電圧がより扱いやすい15Vにも対応しており、アプリケーションの設計しやすさが向上しています。 ...
ROHM Semiconductor/半導体・電子部品のローム
電流: 24 A
電圧: 1,200 V
... のNch SiCパワーMOSFETです。トレンチ構造によりオン抵抗を低減しています。AEC-Q101に準拠した高信頼性の車載グレード製品です。 ロームの第4世代SiC MOSFET SCT4シリーズは短絡耐量時間を改善し、業界トップクラスの低オン抵抗を実現した第4世代の製品です。このシリーズは従来品に比べてオン抵抗を約40%、スイッチング損失を約50%低減しています。また、ゲート-ソース間電圧がより扱いやすい15Vにも対応しており、アプリケーションの設計しやすさが向上しています。 ...
ROHM Semiconductor/半導体・電子部品のローム
電流: 1 A - 5 A
電圧: 12 V - 400 V
... ダイオードは、バイポーラトランジスタの市場リーダーです。 社内パッケージングと優れたシリコン技術の幅広いラインアップを活用することで、ダイオードは、バイポーラ・トランジスタのアプリケーション・ニーズを満たす理想的な位置にあります。 継続的イノベーション バイポーラ・トランジスタのポートフォリオは、革新的なマトリックス・エミッタ・プロセスの連続した世代に基づいて構築されています。 長年にわたるノウハウ、最先端の設計、プロセスイノベーションにより、超低飽和、高速スイッチングトランジスタの構築におけるリーダーシップが拡大しました。 ...
Diodes Incorporated
電圧: 50, 100 V
... FMMT413は、アバランシェ・モード動作に最適化されたNPNシリコン平面バイポーラ・トランジスタです。 厳密なプロセス制御と低インダクタンス・パッケージングを組み合わせることで、高速エッジを備えた高電流パルスを生成し、レーザ・ダイオード駆動に最適です。 特長と利点 • 雪崩モード動作 • 50Aピークアバランシェ電流 • 低インダクタンスパッケージ アプリケーション • レーザーLEDドライバ • 高速エッジ生成 • 高速パルス発生器 ...
Diodes Incorporated
電圧: 45 V
... CENTRAL SEMICONDUCTOR BCX51、BCX52、BCX53 タイプは PNP シリコントランジスタです。 エピタキシャル・プレーナー・プロセスで製造され、表面実装パッケージでエポキシ樹脂モールドされた、大電流汎用アンプ・アプリケーション用に設計されています。 マーキングコード次ページのマーキングコード表をご参照ください。 ...
Central Semiconductor
電圧: 60 V
... 説明: セントラルセミコンダクターBCV47は、エピタキシャル平面プロセスで製造されたシリコンNPNダーリントントランジスタで、表面実装パッケージでエポキシ成形され、非常に高い利得を必要とするアプリケーション向けに設計されています。 マーキングコード:FG。 ...
Central Semiconductor
電圧: 60, 80 V
... CENTRAL SEMICONDUCTOR CMLT3820G は、超低 VCE(SAT)NPN トランジスタで、小型、高効率が要求されるアプリケーション向けに 設計されています。省スペースな SOT-563 表面実装パッケージに収納され、サイズに制約のあるアプリケーションに最適な 性能を発揮します。 マーキングコード38G アプリケーション - DC/DCコンバータ - 電圧クランプ - 保護回路 - 電池式携帯電話、ポケットベル デジタルカメラ、PDA、ノートパソコンなど 特長 - ハロゲンフリー設計 - ...
Central Semiconductor
電流: 50 mA
電圧: 30 V
... CMPFJ175 および CMPFJ176 は、SOT-23 ケースのエポキシモールド P チャンネル JFET です。 SOT-23ケースで製造され、低レベルアンプ用に設計されています。 マーキングコード CMPFJ175: 6W CMPFJ176: 6X CMPFJ177: 6Y ...
Central Semiconductor
電流: 5 A
電圧: 40 V
... 説明: セントラルセミコンダクタCMPP6027およびCMPP6028は、シリコンプログラマブルユニジャンクショントランジスタで、表面実装SOT-23パッケージで製造され、谷電流（IV）、ピーク電流（IP）、固有スタンドオフ比（η）などの調整可能な（プログラマブル）特性用に設計されています。 マーキングコード： CMPP6027：P27 CMPP6028：P28 ...
Central Semiconductor
電流: 200 mA
電圧: 40, 60 V
... CENTRAL SEMICONDUCTOR CMLM0405は、NPNトランジスタとショットキーダイオードをSOT-563ケースに収納し、小型で動作効率が要求される小信号汎用アプリケーション向けに設計されています。 - コンプリメンタリデバイスCMLM0605 - 低VCE(SAT)トランジスタと低VFショットキーダイオードの組み合わせ。 マーキングコード：C45 ...
Central Semiconductor
電流: 1 A
電圧: 25, 40, 6 V
... CENTRAL SEMICONDUCTOR CTLM1034-832D は、低 VCE(SAT)NPNトランジスタと低 VF ショットキー整流器で構成されています。小型で熱効率に優れたリードレス3x2mm表面実装ケースにパッケージされ、小型、動作効率、低消費電力が要求されるアプリケーション向けに設計されています。リードレスパッケージ設計により、このデバイスは同サイズの表面実装パッケージの類似デバイスの最大4倍の電力を消費することができます。 マーキングコードCFC 用途 - スイッチング回路 - ...
Central Semiconductor