半導体式レーザー システム

出力: 8,000 W - 120,000 W
波長: 1,070 nm

YLS低次モードイッテルビウムファイバーレーザーは、何100kWもの出力を供給し、40%を超える電力変換効率によって最大5 kHzのCW/変調モードで動作します。その動的範囲は、ビーム拡がり角またはビームプロファイルを変えない状態で10%からフル出力までであり、1台のレーザーを使って、溶接、穴あけ加工、切削加工などの高出力と低出力両方のアプリケーションに対応可能で、前例のない高性能です。高輝度によって、長い焦点距離を処理するレンズを使って被写界深度を大幅に改善し、光学部品への損傷が減少します。このユニットでは、最長100 ...

出力: 20 W
波長: 1,064 nm

コントロールレーザ社のレーザーマイクロマシニング技術は、1972年世界初のウェーハレーザー加工システムが元になっております。その後、私たちはお客様とご協力を重ねてその技術を進化させ続けてきました。 半導体産業の材料 幅広いエポキシ樹脂モールドコンパウンドに適用でき、さまざまなタイプのフィラーでも、どのようなダイのICでも（シリコン、GaAs、InP）でも開封ができます。さらに、繊細なボンディングワイヤー（金、銀、銅またはアルミニウム）では損傷を与えずに開封できます。 レーザー開封に対して効果的に加工できるかどうか分からない場合は、コントロールレーザー社アプリケーション担当の専門家が実施する事前の「無償」の開封テストにご遠慮なくご依頼ください。 洗練されたレーザー技術 FALIT®のアプリケーションは、従来の方法である化学エッチングプロセス、マイクロドリル及びのこぎり等による切断加工に対して完全にまたは部分的に置き換えることが可能です。FALIT®は、以下の用途のために短時間で正確なソリューションをご提供できます。 主にIC等の開封、切断、および気密封止デバイスのフタ開け等。具体的には、モールド樹脂コンパウンド・セラミック・KOVAR(コバール合金)または透明樹脂（ゲル材）で封止されているICの内部を露出させる開封用途、ボンディングワイヤを露出させて欠陥等を観察する用途、はんだボールを観察する用途、ラミネーションのクラックの観察用途など、さらに故障解析現場でのより多くの証拠を見つけ出すための用途にご活用できます。

... 高度に集積されたチップと従来の回路基板との相互接続において、インターポーザは異なる幾何学的寸法を補償するために使用される。 小型の半導体チップ内の接点は、インターポーザによって組み立て互換性のある寸法に変換されます。 新しいLPKF TGVプロセス（特許出願中）は、レーザー加工による後続のスルーホールめっき用の高精度な穴を生成します。 レーザー改造 ガラスによる毎秒 5 000 穴は、集積回路に理想的な基板です。 それは安定しており、良好な電気特性を有し、互換性のある熱膨張係数を有し、安価である。 ...