双方向ダイオード

DC電圧: 36.7 V - 104 V

... 概要
表面実装の双方向瞬時過電圧保護素子、シリーズ XFD11K33CA–XFD11K85CA。SMD DO-218AC パッケージに XClampR® フラットクランピング技術を採用し、自動車および産業用途での高い温度安定性と信頼性を実現する設計です。

特長

• XClampR® フラットクランピング電圧特性
• 低動的抵抗による優れた 8/20 µs サージ耐性
• 接合部最大温度 TJ = 175 °C

逆電圧: 3.3 V

... Bourns® モデル CDDFN2-T3V3SC 過渡電圧サプレッサは、携帯電話、携帯型電子機器、その他のポータブル電子機器などの電子機器の外部ポートに対して、ESD、EFT、およびサージ保護機能を提供します。 このDFN-2（0402）パッケージのデバイスの公称寸法は1.0 mm × 0.6 mm × 0.5 mmであり、プリント基板に直接実装されることを想定しています。 このデバイスは、IEC 61000-4-2（ESD）、IEC 61000-4-4（EFT）、およびIEC 61000-4-5（サージ）の保護要件を満たすように設計されています。 ...

DC電圧: 10.5 V - 869.4 V
逆電圧: 8.1 V - 77.8 V

... P6KE シリーズは、雷およびその他の電圧過渡現象に起因する電圧過渡から、高精度の電子機器を保護するために設計されています。 特長： • ハロゲンフリーおよび RoHS 適合 • 通常の最大温度係数 ΔVBR = 0.1% - VBR@25°C • ガラスパシベーションされたジャンクション • 10-1000µs波形時600Wのピークパルス容量、反復率（デューティ比）：0.01% • 高速応答時間：最低 0 ボルトから BV 分で通常 1.0ps 未満 • 優れたクランプ機能 • ...

... 構成: 双方向の 説明: 1500W, 100V, 10%, 双方向, TVS ファミリ: TVS IPP (A): 10.9 IR (µA): 1 PPK (W): 1500 パッケージ: DO-201 ステータス: アクティブ TJマックス. (° C): 175 許容誤差 ± (%): 最大 10 VBR (V): 110 VBR の最小 (V): 90 VBR ノム. (V): 100 Vクランプ (V): 144 VWM (V): 81 ...

逆電圧: 58 V - 380 V

... SPCL15シリーズのハイパワーTVSダイオードは、過酷なサージ試験環境に対応するために特別に設計されています。 ACおよびDCライン保護アプリケーションの厳しいサージ試験環境に を満たすために特別に設計されています。その特長は 従来の金属酸化物バリスタ(MOV)を超える超高速応答と超低クランプ特性 従来の金属酸化物バリスタ(MOV)ソリューションよりも優れています。また を直列または並列に接続することができます。 高サージ電流保護ソリューションです。 特長 非常に低いクランプ電圧 シャープなブレークダウン電圧 低スロープ抵抗 双方向性 優れたクランプ率を実現するスナップバック技術 組み立て時のはんだ付けが容易な対称リード幅 ...

逆電圧: 0.71 V - 106 V

... 代表的なアプリケーション 電圧安定化およびレギュレータ (過電圧保護-単方向および双方向- TVSダイオードTGL34シリーズ参照) 商用グレード l) 特徴 高電力損失 RoHS、REACHに準拠、 紛争鉱物*) ...

逆電圧: 5 V - 440 V

... 過渡電圧サプレッサ・ダイオード（TVSダイオードとも呼ばれます）は、電圧過渡や静電気放電（ESD）や高速過渡（EFT）などの過電圧の脅威から電子回路を保護するように設計されたソリッドステートpn 接合装置（ダイオード）です。 TVSダイオードは、応答時間が短く、リーク電流が低く、接合容量が低いシリコンアバランシェ・デバイスです。 TVSダイオードは、バリスタやガス放電管（GDT）などの他の一般的な過電圧保護コンポーネントよりも高速に過電圧に応答できます。 FrontierのTVSダイオードは、単方向構成と双方向構成の両方で入手可能です。 ...