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... Os díodos back-to-back SP1333 são fabricados com uma tecnologia proprietária de avalanche de silício. Estes díodos proporcionam um elevado nível de proteção ESD (descarga eletrostática) para equipamento ...
Littelfuse
Tensão direta: 24 V
... O conjunto de díodos TVS AQ24CANA foi concebido para proteger as linhas CAN (Controller Area Network) dos automóveis contra danos devidos a descargas electrostáticas (ESD), transientes eléctricos rápidos (EFT) e outros ...
Littelfuse
Tensão direta: 5 V
... O conjunto de díodos TVS SP1305 foi concebido para proteger equipamento sensível contra danos causados por descargas electrostáticas (ESD), transientes eléctricos rápidos (EFT) e sobretensões induzidas por raios. O SP1305 ...
Littelfuse
Tensão direta: 5 V
... O SRV05-4HTG-D integra díodos rail-to-rail de baixa capacitância com um díodo zener adicional para proteger cada pino de E/S contra ESD e eventos de sobretensão elevada. Este dispositivo robusto pode ...
Littelfuse
Tensão direta: 5 V
... O AQ3400 integra 2 canais de díodos direccionais de baixa capacitância e um díodo zener adicional para fornecer proteção a equipamento eletrónico que possa sofrer descargas electrostáticas destrutivas ...
Littelfuse
Tensão direta: 3,3 V
... A série SP3384NUTG pode proteger até quatro canais contra até 15A (IEC 61000-4-5 2ª edição) e até ±30kV ESD (IEC 61000-4-2) e está disponível num pacote μDFN compacto. A combinação de baixa capacitância e baixa tensão de aperto fazem ...
Littelfuse
Tensão direta: 3,3 V
... contra descargas electroestáticas (ESD), tais como interfaces DisplayPort e USB 3.1 Gen 1. A linha de sinal é protegida por um díodo TVS que oferece uma baixa capacitância de linha de 0,35 pF típica. O SP3401 pode absorver ...
Littelfuse
Tensão direta: 3,3 V
... O SP3420 inclui quatro canais de capacitância ultra baixa e diodos de proteção ESD de alto nível para proteger a taxa de dados de alta velocidade, como USB 3.1, DisplayPort, Thunderbolt e e-SATA. A capacitância típica ...
Littelfuse
... unidirecional SP1250 é fabricado com uma tecnologia proprietária de avalanche de silício. Estes díodos proporcionam um elevado nível de proteção Estes díodos proporcionam um elevado nível de proteção ...
Littelfuse
Tensão inversa: 24 V
... ● Qualificado AEC-Q 101 ● IEC61000-4-2 (ESD) ± 30 kV (ar), ± 30 kV (contacto) ● IEC61000-4-4 (EFT) 40 A (5 / 50 ns) ● Dissipação de potência de pico: 350 W@8 / 20 μs protege duas linhas bidireccionais tensões de funcionamento: 24 ...
Tensão direta: 1,7 V - 70 V
Tensão inversa: 2,5 V - 70 V
... A ON Semiconductor fornece diodos e matrizes de diodos que são projetados especificamente para fornecer proteção ESD. ...
Tensão inversa: 20 V
... DESCRIÇÃO: Os tipos do SEMICONDUTOR CENTRAL CMXSTB200 são diodos multi-chip de silício montados em uma caixa SOT-26 de montagem superficial e projetados para aplicações que requerem características de tensão de avanço ...
Central Semiconductor
Tensão direta: 5,5 V
Tensão inversa: 5 V
... DESCRIÇÃO: O SEMICONDUTOR CENTRAL CMKTVS5-4 é um conjunto de 4 linhas de TVS/Diodos acondicionados em uma superfície mala de montagem. Com sua baixa capacitância, este dispositivo foi projetado para proteger quatro dados ...
Central Semiconductor
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