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... de pequenos códigos de arranque. Expanda as suas possibilidades de design com a série Page EEPROM, uma nova tecnologia de memória não volátil (NVM) da ST. Norma Produtos competitivos com baixa tensão, baixa potência e o mais pequeno ...
Memórias: 512, 256, 1 GB
... flash NAND da SK hynix está disponível em capacidades de 256 GB, 512 GB e 1 TB para responder à crescente procura de maior memória por parte dos utilizadores de smartphones. O UFS4.0 cumpre as normas JEDEC e proporciona um desempenho ...
SK hynix
Memórias: 64 GB - 1.000 GB
... Armazenamento flash NAND móvel de próxima geração para smartphones 5G O mais recente encontra o novo ( V7 NAND e novo SoC ) A linha de flash NAND da SK hynix continua a evoluir em termos de densidade mono-die e configurações de capacidade disponível, ...
SK hynix
Memórias: 256, 128, 512 GB
... Armazenamento flash NAND exclusivamente para dispositivos automóveis A linha de flash NAND da SK hynix vai além de suportar apenas aplicações móveis para abranger o uso automotivo. O armazenamento flash universal (UFS) da SK hynix para sistemas automóveis ...
SK hynix
... Armazenamento flash NAND móvel de próxima geração para smartphones 5G O mais recente encontra o novo ( V7 NAND e novo SoC ) A linha de flash NAND da SK hynix continua a evoluir em termos de densidade mono-die e configurações de capacidade disponível, ...
SK hynix
Memórias: 512 GB
... robusto até ao fim A solução de memória dominante Com uma eficiência energética superior e velocidades rápidas, o eMMC é uma memória flash NAND avançada e gerida para aplicações móveis e continua a ser a solução de memória ...
SK hynix
Samsung Semiconductor
Samsung Semiconductor
Samsung Semiconductor
Samsung Semiconductor
Samsung Semiconductor
Samsung Semiconductor
Samsung Semiconductor
... Velocidade de nível seguinte para celular de última geração Samsung cegamente rápida inovação LPDDR4X da Samsung para dispositivos móveis está movendo o mercado global de DRAM móvel, dirigindo mais inteligente, possibilidades inventivas. Levando a dispositivos ...
Samsung Semiconductor
... Velocidade de nível seguinte para celular de última geração Samsung cegamente rápida inovação LPDDR4X da Samsung para dispositivos móveis está movendo o mercado global de DRAM móvel, dirigindo mais inteligente, possibilidades inventivas. Levando a dispositivos ...
Samsung Semiconductor
Samsung Semiconductor
Memórias: 8, 6, 5, 4, 2 GB
... A DDR2 SDRAM da DDC é a 1ª e única memória DDR2 cerâmica hermeticamente selada para espaço, e possui operação de alta velocidade com até 8 Gbits de memória. A blindagem opcional RAD-PAK® fornece maior tolerância à dose ...
Data Device Corporation
Memórias: 64, 128, 256, 12, 24 GB
... largura. Este flash NAND utiliza a tecnologia NAND de célula de nível único (SLC). Armazenando 1 bit de dados por célula de memória, o SLC NAND oferece capacidades rápidas de leitura e gravação e tempos de inicialização, excelente resistência ...
Data Device Corporation
... para smartphones, tablets, cartões de memória e outras aplicações sensíveis à energia, a procura de armazenamento com menor consumo de energia está a aumentar. BiCS FLASH, que oferece muitas vantagens sobre a memória ...
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