Memória NAND 69FxxG16

assíncrona

O flash NAND de alta densidade DDC 64, 128 e 256 Gb de alta densidade apresenta um barramento x16 de largura. Este flash NAND utiliza a tecnologia NAND de célula de nível único (SLC). Armazenando 1 bit de dados por célula de memória, o SLC NAND oferece capacidades rápidas de leitura e gravação e tempos de inicialização, excelente resistência e confiabilidade. A tecnologia de embalagem RAD-PAK patenteada pela DDC incorpora blindagem contra radiação no pacote de microcircuito. Ele elimina a necessidade de blindagem da caixa, enquanto fornece a blindagem de radiação necessária para uma vida inteira em órbita ou missão espacial. A RAD-PAK proporciona uma tolerância de dose total superior a 100 krads(Si), dependendo da missão espacial. Este produto está disponível com triagem até DDC Microelectronics auto-definida Classe S. Alta densidade 64, 128 ou 256 Gb Suporta projetos de velocidade mais alta com menos capacitância/menos E/S para o inversor Interface NAND Flash Tecnologia de célula de nível único (SLC) Compatível com ONFI 2.2 Tensão de operação VCC 3.0 a 3.6V VCCQ 1.7 a 1.95V ou 3.0 a 3.6V Tamanho da página 8640 bytes (8192 + 448 bytes sobressalentes) Suporta algoritmos de correção BCH externos (16 bits de correção por 540 bytes) Funcionalidades Armazenamento de dados de alta confiabilidade para aplicações de espaço exigentes Pacote hermético de cerâmica com blindagem TID integrada Classe E, I, H ou K Velocidade Até ao modo de temporização assíncrona 5 (50MT/sec) Faixa de temperatura -55°C a 125°C Resistência 60.000 ciclos típicos