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{{product.productLabel}} {{product.model}}
{{#if product.featureValues}}{{product.productPrice.formattedPrice}} {{#if product.productPrice.priceType === "PRICE_RANGE" }} - {{product.productPrice.formattedPriceMax}} {{/if}}
{{#each product.specData:i}}
{{name}}: {{value}}
{{#i!=(product.specData.length-1)}}
{{/end}}
{{/each}}
{{{product.idpText}}}
{{product.productLabel}} {{product.model}}
{{#if product.featureValues}}{{product.productPrice.formattedPrice}} {{#if product.productPrice.priceType === "PRICE_RANGE" }} - {{product.productPrice.formattedPriceMax}} {{/if}}
{{#each product.specData:i}}
{{name}}: {{value}}
{{#i!=(product.specData.length-1)}}
{{/end}}
{{/each}}
{{{product.idpText}}}
... Os HEMTs GaN, os FETs GaAs, os MMICs e as soluções HEMT de baixo ruído oferecem um elevado desempenho e uma fiabilidade sem compromissos para aplicações de radar, estações de base, SATCOM, ponto a ponto e espaciais. ...
Corrente: 50 mA
Tensão: 30 V
... Os CMPFJ175 e CMPFJ176 da CENTRAL SEMICONDUCTOR são JFETs de canal P moldados em epóxi fabricados numa caixa SOT-23, concebidos para aplicações de amplificadores de baixo nível. CÓDIGOS DE MARCAÇÃO: CMPFJ175: 6W CMPFJ176: 6X CMPFJ177: 6Y ...
... Apresenta um PHEMT de ruído ultrabaixo. O processo é otimizado para fornecer um número de ruído muito baixo para estações base celulares/PCS críticas e outras aplicações de RF sem fio, alta consistência entre partes e excelente confiabilidade. O ATF-33143 ...
Broadcom
... ATF-35143 é uma gama dinâmica elevada, de baixo ruído, PHEMT alojada num pacote de plástico de 4 derivações SC-70 para montagem em superfície. ...
Broadcom
... portfólio de Transistores Bipolares RF de Silício e FETs de GaAs Os transistores GaAs FET RF são ideais para o primeiro ou segundo estágio da estação base LNA devido à excelente combinação ...
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