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Corrente: -16,4 A
Tensão: -60 V
... MOSFETs de canal P em nível normal e lógico, reduzindo a complexidade do projeto em aplicações de média e baixa potência Os MOSFETs OptiMOS™ de canal P de 60V em pacote DPAK representam a nova tecnologia destinada a aplicações de gestão de baterias, ...
Infineon Technologies AG
Tensão: 1.700, 2.500, 4.500 V
... Concebidos utilizando a tecnologia proprietária XPT™ de camada fina e o processo IGBT de última geração, estes dispositivos apresentam qualidades como resistência térmica reduzida, baixa corrente de cauda, baixa perda de energia e capacidade ...
Littelfuse
Corrente: 150 A - 3.600 A
Tensão: 1.200, 1.700, 3.300, 4.500, 6.500 V
... Os módulos de potência IGBT da Hitachi Energy estão disponíveis em versões de 1.700 a 6.500 volts como módulos IGBT de chopper simples, duplo/fásico e duplo diodo. Os módulos HiPak IGBT de alta potência ...
Corrente: -0,5 A
Tensão: -50 V
... 50A02CH é um transístor bipolar, VCE(sat) baixo, PNP simples para aplicação em amplificadores de uso geral de baixa frequência. Aplicações Amplificador de Baixa Frequência Comutação de alta velocidade Acionamento de motor pequeno Circuito ...
Onsemi
Corrente: 0,4 A - 45 A
Tensão: 36 V - 70 V
... A ST oferece uma vasta gama de comutadores inteligentes de 3 e 5 pinos para automóveis (OMNIFET) baseados na tecnologia VIPower (vertical intelligent power). Esta tecnologia proprietária permite a integração de circuitos completos de controlo digital ...
STMicroelectronics
Tensão: 7,5 V
... saída de rádio portátil de banda UHF Estágio de saída para rádio portátil de 700-800 MHz Controlador genérico de 6 W para transístores de fase final ISM e de radiodifusão ...
Corrente: 95 A
Tensão: 40 V
... RH6G040BG é um MOSFET eléctrico de baixa resistência e pacote de alta potência, adequado para comutação. Baixo sobre - resistência Pacote de molde pequeno de alta potência(HSMT8) Revestimento sem Pb; compatível com RoHS Livre de halogéneo ...
ROHM Semiconductor
SEMIKRON
Tensão: -400 V - 1.000 V
... A Vishay é o fabricante número um do mundo de MOSFETs de baixa potência. A linha de produtos Vishay Siliconix Power MOSFET inclui dispositivos em mais de 30 tipos de embalagem, incluindo as famílias MICRO FOOT® e PowerPAK® termicamente avançadas. As opções ...
Corrente: 5, 20, 30, 50 A
Tensão: 600 V
... O IGBT discreto da série BID da Bourns® combina a tecnologia de uma porta MOS e de um transístor bipolar, criando o componente certo para aplicações de alta tensão e alta corrente. Este dispositivo utiliza a tecnologia ...
Tensão: 110, 265 V
... Descrição: TOPSwitch-HX incorpora um MOSFET de 700 V de potência, fonte de corrente comutada de alta tensão, controle PWM, oscilador, circuito de desligamento térmico, proteção contra falhas e outros circuitos de controle em um dispositivo monolítico. Menor ...
Power Integrations
Corrente: 0,8 A
Tensão: 50 V
... Ganho de corrente DC hFE Max.:400 Ganho de corrente DC hFE Min.:160 Descrição:TO-92, 50V, 0.8A, NPN Transistor Bipolar IC (A):0.8 PD (W):0.625 Pacote:TO-92 Polaridade: NPN Estado:Ativo TJ Max. (°C):150 VCBO (V):50 VCE Sat. (V):0.7 VCEO ...
Tensão: 20, 50 V
... Transistor MOSFET e NPN de canal N em um único pacote Baixa Resistência a On-Resistência Tensão muito baixa do limiar do portão, 1,0 V máx Baixa capacitância de entrada Velocidade de comutação rápida Baixa Vazamento de Entrada/Saída ...
Diodes Incorporated
... Os HEMTs GaN, os FETs GaAs, os MMICs e as soluções HEMT de baixo ruído oferecem um elevado desempenho e uma fiabilidade sem compromissos para aplicações de radar, estações de base, SATCOM, ponto a ponto e espaciais. ...
... Tomadas para IC de potência Tipo padrão Simples em linha ●Como encomendar ex: PDSA-1076-Sxx-GG x:Número de posições 2 a 16 Resistência dieléctrica - Resistência de isolamento - - Temperatura de funcionamento EX.) PDSA-1076-Sxx-GG x = Número de ...
JC CHERRY INC.
Tensão: 45 V
... Os tipos BCX51, BCX52 e BCX53 da CENTRAL SEMICONDUCTOR são transístores de silício PNP fabricados pelo processo planar epitaxial, moldados em epóxi num invólucro de montagem em superfície, concebidos para aplicações de amplificadores ...
Central Semiconductor
Corrente: 25 mA
Tensão: 20 V
... Tensão do coletor do emissor - Vceo 20 V Corrente do coletor DC - Ic - 25 mA Polaridade - pol - NPN Dissipação de potência - Ptot - 0,200 W Temperatura de Junção - Tjmax - 150 °C Ganho de corrente DC - hfe - 85 - VcE - 10V - Ic - 7 mA Tensão de Saturação ...
Diotec
Corrente: 2 A
Tensão: 36 V
... Com este MOSFET, pode controlar uma tensão de até 36 Volts. Com a modulação da largura do impulso, a tensão do meio de raiz pode ser baixada (por exemplo, para diminuir uma luz LED). COMPATÍVEL COM Arduino, Raspberry Pi, etc. TENSÃO DE CONTROLO min. ...
Corrente: 1 mA - 20 mA
Tensão: 2,7 V
Broadcom
Corrente: 150 A
Tensão: 600 V
... 600V. Comutadores - Meia Ponte. Os módulos IGBT são alojados numa caixa industrial standard, o que facilita a integração do dispositivo no equipamento existente. Os módulos IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) ...
... portfólio de Transistores Bipolares RF de Silício e FETs de GaAs Os transistores GaAs FET RF são ideais para o primeiro ou segundo estágio da estação base LNA devido à excelente combinação de baixo ruído e linearidade ...
Corrente: 10, 25 A
Tensão: 1.200 V
... Funcionalidades -Tecnologia Trench + Filed Stop IGBT Capacidade de curto-circuito de 10ps -Versât) com coeficiente de temperatura positivo -Caso de baixa indutância -Recuperação reversa rápida e suave antiparalela FWD -Base de cobre isolada ...
Rongtech Industry (Shanghai) Inc.,
Tensão: 8 V - 35 V
... O Módulo Bluetooth é um módulo de transição de comunicação de dados entre o telemóvel e o grupo gerador. Ele é conectado ao controlador do grupo gerador via RS485. Através de um grupo gerador APP móvel é possível obter informações e o início/parada do ...
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