Transistores de potência

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transistor MOSFET
transistor MOSFET
IPD900P06NM

Corrente: -16,4 A
Tensão: -60 V

... MOSFETs de canal P em nível normal e lógico, reduzindo a complexidade do projeto em aplicações de média e baixa potência Os MOSFETs OptiMOS™ de canal P de 60V em pacote DPAK representam a nova tecnologia destinada a aplicações de gestão ...

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Infineon Technologies AG
transistor IGBT
transistor IGBT
XPT™ series

Tensão: 1.700, 2.500, 4.500 V

... Concebidos utilizando a tecnologia proprietária XPT™ de camada fina e o processo IGBT de última geração, estes dispositivos apresentam qualidades como resistência térmica reduzida, baixa corrente de cauda, baixa perda de energia e capacidade ...

transistor IGBT
transistor IGBT
5SN series

Corrente: 150 A - 3.600 A
Tensão: 1.200, 1.700, 3.300, 4.500, 6.500 V

... Os módulos de potência IGBT da Hitachi Energy estão disponíveis em versões de 1.700 a 6.500 volts como módulos IGBT de chopper simples, duplo/fásico e duplo diodo. Os módulos HiPak IGBT ...

transistor bipolar
transistor bipolar
50A02CH series

Corrente: -0,5 A
Tensão: -50 V

... 50A02CH é um transístor bipolar, VCE(sat) baixo, PNP simples para aplicação em amplificadores de uso geral de baixa frequência. Aplicações Amplificador de Baixa Frequência Comutação de alta velocidade Acionamento de motor pequeno Circuito ...

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Onsemi
transistor MOSFET
transistor MOSFET
L9338

Corrente: 0,4 A - 45 A
Tensão: 36 V - 70 V

... e analógico e de proteção que conduzem um MOSFET de potência vertical, tudo no mesmo chip. Os interruptores de lado baixo, com as suas caraterísticas extra integradas, são interruptores de potência que podem lidar com ...

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STMicroelectronics
módulo de transistores de potência
módulo de transistores de potência
AFM906N

Tensão: 7,5 V

... permitem a utilização de uma ampla faixa de frequência Proteção ESD integrada Melhorias de estabilidade integradas Banda larga - potência total em toda a banda Desempenho térmico excecional Extrema robustez Elevada linearidade para: TETRA, ...

módulo de transistores MOSFET
módulo de transistores MOSFET
RH6G040BG

Corrente: 95 A
Tensão: 40 V

... RH6G040BG é um MOSFET eléctrico de baixa resistência e pacote de alta potência, adequado para comutação. Baixo sobre - resistência Pacote de molde pequeno de alta potência(HSMT8) Revestimento sem Pb; compatível com RoHS Livre ...

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ROHM Semiconductor
transistor MOSFET
transistor MOSFET
IRF series

Tensão: -400 V - 1.000 V

... A Vishay é o fabricante número um do mundo de MOSFETs de baixa potência. A linha de produtos Vishay Siliconix Power MOSFET inclui dispositivos em mais de 30 tipos de embalagem, incluindo as famílias MICRO FOOT® e PowerPAK® termicamente ...

transistor bipolar
transistor bipolar

Tensão: 0,24 V - 3,5 V

transistor MOSFET
transistor MOSFET
700 V | TOPSwitch-HX

Tensão: 110, 265 V

... Descrição: TOPSwitch-HX incorpora um MOSFET de 700 V de potência, fonte de corrente comutada de alta tensão, controle PWM, oscilador, circuito de desligamento térmico, proteção contra falhas e outros circuitos de controle em um dispositivo ...

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Power Integrations
transistor bipolar
transistor bipolar

Corrente: 1 A - 5 A
Tensão: 12 V - 400 V

... mercado quando se trata de transistores bipolares. Ao utilizar sua ampla linha de embalagem interna e tecnologia de silício superior, Diodos está idealmente posicionado para atender às suas necessidades de aplicação para transistores ...

transistor IGBT
transistor IGBT
PDSA-series

... Tomadas para IC de potência Tipo padrão Simples em linha ●Como encomendar ex: PDSA-1076-Sxx-GG x:Número de posições 2 a 16 Resistência dieléctrica - Resistência de isolamento - - Temperatura de funcionamento EX.) PDSA-1076-Sxx-GG x ...

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JC CHERRY INC.
transistor bipolar
transistor bipolar
BCX51

Tensão: 45 V

... Os tipos BCX51, BCX52 e BCX53 da CENTRAL SEMICONDUCTOR são transístores de silício PNP fabricados pelo processo planar epitaxial, moldados em epóxi num invólucro de montagem em superfície, concebidos para aplicações de amplificadores ...

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Central Semiconductor
transistor bipolar
transistor bipolar
BFS20

Corrente: 25 mA
Tensão: 20 V

... Tensão do coletor do emissor - Vceo 20 V Corrente do coletor DC - Ic - 25 mA Polaridade - pol - NPN Dissipação de potência - Ptot - 0,200 W Temperatura de Junção - Tjmax - 150 °C Ganho de corrente DC - hfe - 85 - VcE - 10V - Ic - 7 ...

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Diotec
transistor FET
transistor FET

... portfólio de Transistores Bipolares RF de Silício e FETs de GaAs Os transistores GaAs FET RF são ideais para o primeiro ou segundo estágio da estação base LNA devido à excelente combinação de baixo ruído e linearidade ...

módulo de transistores IGBT
módulo de transistores IGBT
RT25PI120B9H

Corrente: 10, 25 A
Tensão: 1.200 V

... Funcionalidades -Tecnologia Trench + Filed Stop IGBT Capacidade de curto-circuito de 10ps -Versât) com coeficiente de temperatura positivo -Caso de baixa indutância -Recuperação reversa rápida e suave antiparalela FWD -Base de cobre isolada ...

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Rongtech Industry (Shanghai) Inc.,
transistor IGBT
transistor IGBT

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IXYS
módulo de transistores de potência
módulo de transistores de potência
HRC12

Tensão: 8 V - 35 V

... geradores de longe, e a distância de comunicação é maior do que 50m; A partir de um controlador de grupo gerador móvel, a potência pode ser controlada ou o controlador do grupo gerador pode ser acordado; Ampla faixa de alimentação DC ...

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