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Tensão: 1.700, 2.500, 4.500 V
... Concebidos utilizando a tecnologia proprietária XPT™ de camada fina e o processo IGBT de última geração, estes dispositivos apresentam qualidades como resistência térmica reduzida, baixa corrente de cauda, baixa perda ...
... A Toshiba oferece uma vasta gama de transístores bipolares adequados para várias aplicações, incluindo dispositivos de radiofrequência (RF) e de alimentação eléctrica. ...
Corrente: -16,4 A
Tensão: -60 V
... MOSFETs de canal P em nível normal e lógico, reduzindo a complexidade do projeto em aplicações de média e baixa potência Os MOSFETs OptiMOS™ de canal P de 60V em pacote DPAK representam a nova tecnologia destinada a ...
Infineon Technologies AG
Corrente: 150 A - 3.600 A
Tensão: 1.200, 1.700, 3.300, 4.500, 6.500 V
Os módulos de potência IGBT da Hitachi Energy estão disponíveis em versões de 1.700 a 6.500 volts como módulos IGBT de chopper simples, duplo/fásico e duplo diodo. Os módulos HiPak IGBT ...
Corrente: 5 A
Tensão: 500 V
... Soquetes de transistor de potência 5.passo de 45 mm / 0,215 Alta temperatura Baixa liberação de gases Contacto redondo de elevada fiabilidade que proporciona um bom desempenho elétrico e mecânico. As ...
Corrente: 5 A
... Tomadas para transístor de potência Para TO-247(4 pinos) Alta Temp. ℃ Baixa emissão de gases Este soquete de teste de transistor de potência acomoda o pacote TO-247 ...
Corrente: 5 A
... Soquetes de teste para transistor de potência,Passo personalizado Alta corrente Passo Tipo padrão／Tipo de furo passante Baixa liberação de gases Se você quiser avaliar um dispositivo que não é suportado ...
Tensão: 110, 265 V
... Descrição: TOPSwitch-HX incorpora um MOSFET de 700 V de potência, fonte de corrente comutada de alta tensão, controle PWM, oscilador, circuito de desligamento térmico, proteção contra falhas e outros circuitos de controle ...
Power Integrations
... portfólio de Transistores Bipolares RF de Silício e FETs de GaAs Os transistores GaAs FET RF são ideais para o primeiro ou segundo estágio da estação base LNA devido à excelente combinação de baixo ruído ...
Corrente: 20 A
Tensão: 650 V
... O GNP1070TC-Z é um HEMT GaN de 650V que alcançou a classe FOM (Ron*Ciss、Ron*Coss) mais elevada da indústria. É um produto da série EcoGaN™ que contribui para a eficiência de conversão de energia e redução de tamanho, fazendo o melhor ...
ROHM Semiconductor
... Os fotoacopladores para automóveis (saída de transístor, saída IC) estão disponíveis em pequenas embalagens com elevada resistência dieléctrica (3,75KV) e funcionamento a altas temperaturas até 135 °C. Isto facilita a ...
Tensão: 7,5 V
... permitem a utilização de uma ampla faixa de frequência Proteção ESD integrada Melhorias de estabilidade integradas Banda larga - potência total em toda a banda Desempenho térmico excecional Extrema robustez Elevada linearidade ...
Corrente: -0,5 A
Tensão: -50 V
... 50A02CH é um transístor bipolar, VCE(sat) baixo, PNP simples para aplicação em amplificadores de uso geral de baixa frequência. Aplicações Amplificador de Baixa Frequência Comutação de alta velocidade Acionamento de ...
Fairchild Semiconductor
Corrente: 0,4 A - 45 A
Tensão: 36 V - 70 V
... proprietária permite a integração de circuitos de controle e proteção digitais e analógicos completos que acionam um MOSFET de potência vertical, tudo no mesmo chip. Os interruptores de baixa tensão, com suas características ...
STMicroelectronics
Tensão: -400 V - 1.000 V
... A Vishay é o fabricante número um do mundo de MOSFETs de baixa potência. A linha de produtos Vishay Siliconix Power MOSFET inclui dispositivos em mais de 30 tipos de embalagem, incluindo as famílias MICRO FOOT® e PowerPAK® ...
Tensão: 45 V
... DESCRIÇÃO: Os tipos SEMICONDUTOR CENTRAL BCX51, BCX52 e BCX53 são Transistores de Silício PNP fabricado pelo processo epitaxial planar, epoxi moldado em um pacote de montagem superficial, projetado para aplicações de ...
Central Semiconductor
Corrente: 1 A - 5 A
Tensão: 12 V - 400 V
... mercado quando se trata de transistores bipolares. Ao utilizar sua ampla linha de embalagem interna e tecnologia de silício superior, Diodos está idealmente posicionado para atender às suas necessidades de aplicação ...
Corrente: 25 mA
Tensão: 20 V
... Tensão do coletor do emissor - Vceo 20 V Corrente do coletor DC - Ic - 25 mA Polaridade - pol - NPN Dissipação de potência - Ptot - 0,200 W Temperatura de Junção - Tjmax - 150 °C Ganho de corrente DC - hfe - 85 - VcE ...
Diotec
Corrente: 10, 25 A
Tensão: 1.200 V
... Funcionalidades -Tecnologia Trench + Filed Stop IGBT Capacidade de curto-circuito de 10ps -Versât) com coeficiente de temperatura positivo -Caso de baixa indutância -Recuperação reversa rápida e suave antiparalela FWD -Base ...
Rongtech Industry (Shanghai) Inc.,
Tensão: 8 V - 35 V
... geradores de longe, e a distância de comunicação é maior do que 50m; A partir de um controlador de grupo gerador móvel, a potência pode ser controlada ou o controlador do grupo gerador pode ser acordado; Ampla faixa ...
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