Transistor IGBT 5SN series
de potênciade comutação

Transistor IGBT - 5SN series - Hitachi Energy - de potência / de comutação
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Características

Tipo
IGBT
Tipo
de potência, de comutação
Corrente

MÍN: 150 A

MÁX: 3.600 A

Tensão

1.200 V, 1.700 V, 3.300 V, 4.500 V, 6.500 V

Descrição

Os módulos de potência IGBT da Hitachi Energy estão disponíveis em versões de 1.700 a 6.500 volts como módulos IGBT de chopper simples, duplo/fásico e duplo diodo. Os módulos HiPak IGBT de alta potência apresentam baixas perdas combinadas com desempenho de comutação suave e Área Operacional Segura (SOA) recorde. Os recém-introduzidos módulos IGBT de média potência de comutação rápida 62Pak e LoPak apresentam perdas de comutação mais baixas, operação completa a 175 °C com SOA quadrado completo e pacote padrão que permite substituição imediata.

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Intersolar 2026
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23-25 jun 2026 Munich (Alemanha) Hall B5 - Stand 160

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    * Os preços não incluem impostos, transporte, taxas alfandegárias, nem custos adicionais associados às opções de instalação e de ativação do serviço. Os preços são meramente indicativos e podem variar em função dos países, do custo das matérias-primas e das taxas de câmbio.