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Tensão: 1.700, 2.500, 4.500 V
... Concebidos utilizando a tecnologia proprietária XPT™ de camada fina e o processo IGBT de última geração, estes dispositivos apresentam qualidades como resistência térmica reduzida, baixa corrente de cauda, baixa perda de energia e capacidade ...
Corrente: 600 A
Tensão: 1.200 V
... Os módulos IGBT da Littelfuse oferecem alta eficiência e velocidades de comutação rápidas da moderna tecnologia IGBT num formato robusto e flexível. Utilizados para aplicações de controlo de potência, a Littelfuse oferece ...
Corrente: 28 A
Tensão: 650 V
... O IGBT TRENCHSTOP™ 5 S5 de comutação rígida numa pequena embalagem TO-220 destina-se a aplicações de comutação entre 10 kHz e 40 kHz para proporcionar uma elevada densidade de corrente, elevada eficiência, ciclos de colocação no mercado ...
Infineon Technologies AG
Corrente: 150 A - 3.600 A
Tensão: 1.200, 1.700, 3.300, 4.500, 6.500 V
... Os módulos de potência IGBT da Hitachi Energy estão disponíveis em versões de 1.700 a 6.500 volts como módulos IGBT de chopper simples, duplo/fásico e duplo diodo. Os módulos HiPak IGBT de alta potência ...
Corrente: 800 A
Tensão: 1.200 V
... O NXH800H120L7QDSG é um módulo de potência IGBT de meia ponte nominal. Os IGBTs Field Stop Trench 7 e os díodos Gen. 7 integrados proporcionam menores perdas de condução e perdas de comutação, permitindo aos projectistas ...
Onsemi
Corrente: 8 A
Tensão: 600 V
... Este IGBT utiliza o avançado processo PowerMESH™, resultando num excelente compromisso entre o desempenho de comutação e o baixo comportamento no estado. Todas as características Menor queda de tensão no estado ligado (VCE(sat)) Díodo ...
STMicroelectronics
Corrente: 50 A
Tensão: 650 V
... A série RGWxx65C é um IGBT de 650V com um díodo de barreira SiC schottky incorporado, o que reduz a perda de comutação de ligação. Este é um produto compatível com AEC-Q101. Pode ser utilizado com confiança mesmo em ambientes agressivos, ...
ROHM Semiconductor
SEMIKRON
Corrente: 5, 20, 30, 50 A
Tensão: 600 V
... O IGBT discreto da série BID da Bourns® combina a tecnologia de uma porta MOS e de um transístor bipolar, criando o componente certo para aplicações de alta tensão e alta corrente. Este dispositivo utiliza a tecnologia ...
... personalizar a disposição dos pinos da tomada, também pode ser utilizado para avaliação de semicondutores de potência, como IPM e IGBT. Possibilidade de medição Kelvin Possibilidade de selecionar as especificações de cablagem Suporta ...
JC CHERRY INC.
Corrente: 100 mA
Tensão: 45, 30, 65 mV
... Aplicações típicas Processamento de sinais Comutação Amplificação Classe comercial / industrial Sufixo -Q: Em conformidade com a norma AEC-Q101 *) Sufixo -AQ: em qualificação AEC-Q101 *) Características Objetivo geral Três grupos de ganho de corrente Em ...
Diotec
Corrente: 150 A
Tensão: 600 V
... 600V. Comutadores - Meia Ponte. Os módulos IGBT são alojados numa caixa industrial standard, o que facilita a integração do dispositivo no equipamento existente. Os módulos IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) ...
Corrente: 10, 25 A
Tensão: 1.200 V
... Funcionalidades -Tecnologia Trench + Filed Stop IGBT Capacidade de curto-circuito de 10ps -Versât) com coeficiente de temperatura positivo -Caso de baixa indutância -Recuperação reversa rápida e suave antiparalela FWD -Base de cobre isolada ...
Rongtech Industry (Shanghai) Inc.,
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