Transistores IGBT

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transistor IGBT
transistor IGBT
XPT™ series

Tensão: 1.700, 2.500, 4.500 V

... Projetados usando a tecnologia proprietária do thin-wafer XPT™ e o processo IGBT de última geração, esses dispositivos apresentam qualidades como resistência térmica reduzida, baixa corrente de cauda, baixa perda de energia ...

módulo de transistores IGBT
módulo de transistores IGBT
MG12600WB-BR2MM series

Tensão: 1.200 V
Corrente: 600 A

... Os módulos IGBT da Littelfuse oferecem alta eficiência e velocidades de comutação rápidas da moderna tecnologia IGBT em um formato robusto e flexível. Usada para aplicações de controle de potência, a ...

transistor IGBT
transistor IGBT
IKP28N65ES5

Tensão: 650 V
Corrente: 38 A

... A 650 V, 28 A hard-switching TRENCHSTOP™ 5 S5 IGBT em um pacote de pequenas dimensões TO-220 endereços aplicações comutação entre 10 kHz e 40 kHz para oferecer alta densidade de corrente, alta eficiência, mais rápido ...

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Infineon Technologies AG
transistor IGBT
transistor IGBT
RG series

Tensão: 600, 650 V
Corrente: 4 A - 80 A

... Os produtos da ROHM são realizados com baixo Vce (sat) e baixa perda de comutação pela tecnologia de porta de valas e wafer fino da ROHM. ...

transistor IGBT
transistor IGBT

... Os IGBTs de ignição ROHM para o setor automotivo são produtos de alta confiabilidade que alcançaram baixa Vce (sat) e alta avalanche de energia. Características: Baixa tensão de saturação do coletor-emissor Alta energia ...

módulo de transistores IGBT
módulo de transistores IGBT
QC962-8A

módulo de transistores IGBT
módulo de transistores IGBT
QP12W05S-37

módulo de transistores IGBT
módulo de transistores IGBT
QP12W08S-37A

Tensão: 13 V
Corrente: 25 mA

... CARACTERÍSTICAS - Fonte de alimentação DC-DC isolada incorporada; Potência única topologia de acionamento de suprimentos - Alta tensão de isolamento de 3750VAC - Frequência do sinal de entrada até 20kHz - Circuito de falha embutido com ...

transistor IGBT
transistor IGBT
StakPak

Tensão: 4.500, 5.200 V
Corrente: 3.000, 1.300, 2.000 A

... uma família de transístores bipolares de porta isolada de alta potência (IGBT) e díodos em uma carcaça modular avançada que garante uma pressão de chip uniforme em pilhas de múltiplos dispositivos. Embora ...

módulo de transistores IGBT
módulo de transistores IGBT
STGIP series

... permitem a combinação de chips de silício optimizados e incorporam 3 blocos de inversores principais: estágio de potência (IGBTs resistentes a curto-circuito e díodos de roda livre), rede de condução (resistências de ...

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STMicroelectronics
transistor IGBT
transistor IGBT
STGB8NC60KD

Tensão: 600 V
Corrente: 8 A

... Nova série "K" robusta de curto-circuito Este IGBT utiliza o avançado processo PowerMESH™ resultando em um excelente trade-off entre o desempenho de comutação e o baixo comportamento no estado. Menor queda de tensão ...

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STGD8NC60KD

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Corrente: 8 A

... Nova série "K" robusta de curto-circuito Este IGBT utiliza o avançado processo PowerMESH™ resultando em um excelente trade-off entre o desempenho de comutação e o baixo comportamento no estado. Menor queda de tensão ...

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transistor IGBT
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... Os transistores bipolares de porta isolada Renesas (IGBTs) realizam tanto baixa tensão de saturação como comutação rápida através da tecnologia de wafer fino. Séries de produtos adequados para uma variedade ...

módulo de transistores IGBT
módulo de transistores IGBT
SK 9 BGD 065 ET

... para novos designs CaixaSEMITOP 3 (55x31x12) (LLxBBBxHHH)55x31x12 InterruptoresSix Pack VCES em V600 ICnom em A6 TecnologiaNPT IGBT (Ultrafast) ...

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SEMIKRON
transistor IGBT
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IXYS
transistor IGBT
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FG, ISL9 series

Tensão: 250, 500 V
Corrente: 10, 43 A

... A FAIRCHILD apresenta sua mais nova linha de ignição automotiva com IGBT. Ele é especialmente projetado para ter a maior densidade de energia de braçadeira de todos os dispositivos no mercado e baixa tensão de saturação. ...

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Fairchild Semiconductor
módulo de transistores IGBT
módulo de transistores IGBT
RT25PI120B9H

Tensão: 1.200 V
Corrente: 10, 25 A

... Funcionalidades -Tecnologia Trench + Filed Stop IGBT Capacidade de curto-circuito de 10ps -Versât) com coeficiente de temperatura positivo -Caso de baixa indutância -Recuperação reversa rápida e suave antiparalela FWD -Base ...

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Rongtech Industry (Shanghai) Inc.,