Módulo de transistores IGBT NXH800H120L7QDSGde potênciade comutação
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Características
- Tipo
- IGBT
- Tipo
- de comutação, de potência
- Corrente
800 A
- Tensão
1.200 V
Descrição
O NXH800H120L7QDSG é um módulo de potência IGBT de meia ponte nominal. Os IGBTs Field Stop Trench 7 e os díodos Gen. 7 integrados proporcionam menores perdas de condução e perdas de comutação, permitindo aos projectistas obter uma elevada eficiência e fiabilidade superior.
Aplicações
Conversão CC-CA
Conversão DC-DC
Conversão AC-DC
Produtos finais
Sistemas de armazenamento de energia
Inversores solares
Accionamentos de motores
Sistemas de alimentação eléctrica ininterrupta (UPS)
Características
IGBTs e díodos Gen.7 com paragem no terreno
módulo de potência IGBT com configuração de meia ponte 2 em 1
Placa de base isolada
Termistor NTC
Pinos soldáveis
Layout de baixa indução
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Catálogos
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* Os preços não incluem impostos, transporte, taxas alfandegárias, nem custos adicionais associados às opções de instalação e de ativação do serviço. Os preços são meramente indicativos e podem variar em função dos países, do custo das matérias-primas e das taxas de câmbio.