Módulo de transistores IGBT SNXH800H120L7QDSG
de potênciade comutação

Módulo de transistores IGBT - SNXH800H120L7QDSG - Onsemi - de potência / de comutação
Módulo de transistores IGBT - SNXH800H120L7QDSG - Onsemi - de potência / de comutação
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Características

Tipo
IGBT
Tipo
de comutação, de potência
Corrente

800 A

Tensão

1.200 V

Descrição

O SNXH800H120L7QDSG é um módulo de potência IGBT de meia ponte nominal. Os IGBTs Field Stop Trench 7 e os díodos Gen. 7 integrados proporcionam menores perdas de condução e perdas de comutação, permitindo aos projectistas alcançar uma elevada eficiência e fiabilidade superior. Aplicações Conversão CC-CA Conversão DC-DC Conversão AC-DC Produtos finais Veículos agrícolas comerciais (CAV) Características IGBTs de trincheira 7 e díodos Gen.7 com paragem em campo módulo de potência IGBT com configuração de meia ponte 2 em 1 Placa de base isolada Termistor NTC Pinos soldáveis Layout de baixa indução

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