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Corrente: 28 A
Tensão: 650 V
... O IGBT TRENCHSTOP™ 5 S5 de comutação rígida numa pequena embalagem TO-220 destina-se a aplicações de comutação entre 10 kHz e 40 kHz para proporcionar uma elevada densidade de corrente, elevada eficiência, ciclos de colocação no mercado ...
Tensão: 1.700, 2.500, 4.500 V
... through (XPT) da Littelfuse cumprem todos estes requisitos. Configurados como IGBTs planares ou de trincheira, estes transístores bipolares de porta isolada de alta tensão podem ser utilizados em paralelo. Esta configuração ...
Littelfuse
Corrente: 15 A
Tensão: 140 V
... Transistor de potência bipolar NPN Os MJ15001 e MJ15002 são transístores de potência concebidos para áudio de alta potência, posicionadores de cabeça de disco e outras aplicações lineares. Características Área ...
Onsemi
Corrente: 150 A - 3.600 A
Tensão: 1.200, 1.700, 3.300, 4.500, 6.500 V
... Os módulos de potência IGBT da Hitachi Energy estão disponíveis em versões de 1.700 a 6.500 volts como módulos IGBT de chopper simples, duplo/fásico e duplo diodo. Os módulos HiPak IGBT de alta potência ...
Corrente: 24 A
Tensão: 1.700 V
... O dispositivo utiliza um colector difuso em tecnologia planar que adopta uma "estrutura de alta tensão melhorada" (EHVS1) desenvolvida para se adaptar a ecrãs CRT de alta definição. A nova série de produtos HD apresenta uma eficiência de silício melhorada, ...
STMicroelectronics
Corrente: 20 A
Tensão: 650 V
... Redução da perda de comutação, permitindo a comutação a alta velocidade (pacote de 2 pinos) AEC-Q101 qualificado Tempo de recuperação mais curto Possibilidade de comutação a alta velocidade Redução da dependência da temperatura ...
ROHM Semiconductor
SEMIKRON
... Tomada de dispositivo de alta corrente Alta temperatura 5.passo de 45mm Ângulo reto Baixa emissão de gases Este é um soquete que pode corresponder ao arranjo da placa de PC com restrições de altura, girando o dispositivo para o lado. suporta vários ...
JC CHERRY INC.
Tensão: 60 V
... DESCRIÇÃO: O SEMICONDUTOR CENTRAL BCV47 é um transistor de silicone NPN Darlington fabricado pelo processo epitaxial planar, epoxi moldado em um pacote de montagem superficial, projetado para aplicações que requerem um ganho extremamente ...
Central Semiconductor
Corrente: 0,8 A
Tensão: 50 V
... Ganho de corrente DC hFE Max.:400 Ganho de corrente DC hFE Min.:160 Descrição:TO-92, 50V, 0.8A, NPN Transistor Bipolar IC (A):0.8 PD (W):0.625 Pacote:TO-92 Polaridade: NPN Estado:Ativo TJ Max. (°C):150 VCBO (V):50 VCE ...
Tensão: 20, 50 V
... Transistor MOSFET e NPN de canal N em um único pacote Baixa Resistência a On-Resistência Tensão muito baixa do limiar do portão, 1,0 V máx Baixa capacitância de entrada Velocidade de comutação rápida Baixa Vazamento de Entrada/Saída ...
Diodes Incorporated
Corrente: 25 mA
Tensão: 20 V
... Tensão do coletor do emissor - Vceo 20 V Corrente do coletor DC - Ic - 25 mA Polaridade - pol - NPN Dissipação de potência - Ptot - 0,200 W Temperatura de Junção - Tjmax - 150 °C Ganho de corrente DC - hfe - 85 - VcE - 10V - Ic - 7 mA Tensão de Saturação ...
Diotec
Corrente: 150 A
Tensão: 600 V
... 600V. Comutadores - Meia Ponte. Os módulos IGBT são alojados numa caixa industrial standard, o que facilita a integração do dispositivo no equipamento existente. Os módulos IGBT (Insulated Gate Bipolar ...
Corrente: 10, 25 A
Tensão: 1.200 V
... Funcionalidades -Tecnologia Trench + Filed Stop IGBT Capacidade de curto-circuito de 10ps -Versât) com coeficiente de temperatura positivo -Caso de baixa indutância -Recuperação reversa rápida e suave antiparalela FWD -Base de cobre isolada ...
Rongtech Industry (Shanghai) Inc.,
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