Transistores bipolares

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transistor IGBT
transistor IGBT
StakPak

Corrente: 3.000, 1.300, 2.000 A
Tensão: 4.500, 5.200 V

... StakPak é uma família de transístores bipolares de porta isolada de alta potência (IGBT) e díodos em uma carcaça modular avançada que garante uma pressão de chip uniforme em pilhas de múltiplos dispositivos. Embora ...

módulo de transistores IGBT
módulo de transistores IGBT
QC962-8A

módulo de transistores IGBT
módulo de transistores IGBT
QP12W05S-37

módulo de transistores IGBT
módulo de transistores IGBT
QP12W08S-37A

Corrente: 25 mA
Tensão: 13 V

... CARACTERÍSTICAS - Fonte de alimentação DC-DC isolada incorporada; Potência única topologia de acionamento de suprimentos - Alta tensão de isolamento de 3750VAC - Frequência do sinal de entrada até 20kHz - Circuito de falha embutido com ...

transistor IGBT
transistor IGBT
XPT™ series

Tensão: 1.700, 2.500, 4.500 V

... Concebidos utilizando a tecnologia proprietária XPT™ de camada fina e o processo IGBT de última geração, estes dispositivos apresentam qualidades como resistência térmica reduzida, baixa corrente de cauda, baixa perda ...

módulo de transistores IGBT
módulo de transistores IGBT
MG12600WB-BR2MM series

Corrente: 600 A
Tensão: 1.200 V

... Os módulos IGBT da Littelfuse oferecem alta eficiência e velocidades de comutação rápidas da moderna tecnologia IGBT num formato robusto e flexível. Utilizados para aplicações de controlo de potência, ...

transistor bipolar
transistor bipolar

... A Toshiba oferece uma vasta gama de transístores bipolares adequados para várias aplicações, incluindo dispositivos de radiofrequência (RF) e de alimentação eléctrica. ...

transistor IGBT
transistor IGBT
IKP28N65ES5

Corrente: 28 A
Tensão: 650 V

... O IGBT TRENCHSTOP™ 5 S5 de comutação rígida numa pequena embalagem TO-220 destina-se a aplicações de comutação entre 10 kHz e 40 kHz para proporcionar uma elevada densidade de corrente, elevada eficiência, ciclos de colocação ...

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Infineon Technologies AG
transistor IGBT
transistor IGBT
5SN series

Corrente: 150 A - 3.600 A
Tensão: 1.200, 1.700, 3.300, 4.500, 6.500 V

Os módulos de potência IGBT da Hitachi Energy estão disponíveis em versões de 1.700 a 6.500 volts como módulos IGBT de chopper simples, duplo/fásico e duplo diodo. Os módulos HiPak IGBT ...

módulo de transistores IGBT
módulo de transistores IGBT
SKiiP 11NAB065V1

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SEMIKRON
transistor bipolar
transistor bipolar
BFS20

Corrente: 25 mA
Tensão: 20 V

... Tensão do coletor do emissor - Vceo 20 V Corrente do coletor DC - Ic - 25 mA Polaridade - pol - NPN Dissipação de potência - Ptot - 0,200 W Temperatura de Junção - Tjmax - 150 °C Ganho de corrente DC - hfe - 85 - VcE - 10V - Ic - 7 ...

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Diotec
transistor bipolar
transistor bipolar
2N39 series

Corrente: 200 mA
Tensão: 40 mV

... Aplicações típicas Processamento de sinais, Comutação, Amplificação Classe comercial l) Características Objetivo geral Em conformidade com RoHS, REACH, Minerais de conflito *) ...

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Diotec
transistor bipolar
transistor bipolar
BC54 series

Corrente: 100 mA
Tensão: 65, 45, 30 V

... Aplicações típicas Processamento de sinais Comutação Amplificação Classe comercial / industrial Sufixo -Q: Em conformidade com AEC-Q101x) Sufixo -AQ: em qualificação AEC-Q101 *) Características Objetivo geral Três grupos de ganho de ...

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Diotec
módulo de transistores IGBT
módulo de transistores IGBT

transistor bipolar
transistor bipolar
MJ15001G

Corrente: 15 A
Tensão: 140 V

... Transistor de potência bipolar NPN Os MJ15001 e MJ15002 são transístores de potência concebidos para áudio de alta potência, posicionadores de cabeça de disco e outras aplicações lineares. Características Área ...

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Fairchild Semiconductor
transistor NPN
transistor NPN
SCS220AE2HR

Corrente: 20 A
Tensão: 650 V

... Redução da perda de comutação, permitindo a comutação a alta velocidade (pacote de 2 pinos) AEC-Q101 qualificado Tempo de recuperação mais curto Possibilidade de comutação a alta velocidade Redução da dependência da temperatura ...

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ROHM Semiconductor
módulo de transistores IGBT
módulo de transistores IGBT
STPOWER

... Os módulos de potência inteligentes SLLIMM pertencem à família dos IPMs que permitem a combinação de chips de silício optimizados e incorporam 3 blocos de inversores principais: estágio de potência (IGBTs resistentes a curto-circuito ...

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STMicroelectronics
transistor NPN
transistor NPN
BCV47

Tensão: 60 V

... DESCRIÇÃO: O SEMICONDUTOR CENTRAL BCV47 é um transistor de silicone NPN Darlington fabricado pelo processo epitaxial planar, epoxi moldado em um pacote de montagem superficial, projetado para aplicações que requerem um ...

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Central Semiconductor
transistor bipolar
transistor bipolar

Tensão: 0,24 V - 3,5 V

transistor bipolar
transistor bipolar
BC337-25

Corrente: 0,8 A
Tensão: 50 V

... Ganho de corrente DC hFE Max.:400 Ganho de corrente DC hFE Min.:160 Descrição:TO-92, 50V, 0.8A, NPN Transistor Bipolar IC (A):0.8 PD (W):0.625 Pacote:TO-92 Polaridade: NPN Estado:Ativo TJ Max. (°C):150 VCBO ...

transistor bipolar
transistor bipolar

Corrente: 10 A - 1.600 A
Tensão: 600 V - 1.700 V

... Greegoo oferece módulos IGBT (transístor bipolar de porta isolada) em diferentes topologias, classificações de corrente e tensão. A partir de 15A a 1600A em classes de tensão de 600V ...

transistor bipolar
transistor bipolar
DMB series

Tensão: 20, 50 V

... Transistor MOSFET e NPN de canal N em um único pacote Baixa Resistência a On-Resistência Tensão muito baixa do limiar do portão, 1,0 V máx Baixa capacitância de entrada Velocidade de comutação rápida Baixa Vazamento ...

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Diodes Incorporated
módulo de transistores IGBT
módulo de transistores IGBT
RT25PI120B9H

Corrente: 10, 25 A
Tensão: 1.200 V

... Funcionalidades -Tecnologia Trench + Filed Stop IGBT Capacidade de curto-circuito de 10ps -Versât) com coeficiente de temperatura positivo -Caso de baixa indutância -Recuperação reversa rápida e suave antiparalela FWD -Base ...

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Rongtech Industry (Shanghai) Inc.,
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