Transistor IGBT XPT™ series

de potência

Os interruptores de estado sólido com melhor desempenho apresentam baixa resistência térmica, baixa corrente residual, baixa perda de energia e capacidade de comutação de alta velocidade. Os IGBTs eXtreme light punch through (XPT) da Littelfuse cumprem todos estes requisitos. Configurados como IGBTs planares ou de trincheira, estes transístores bipolares de porta isolada de alta tensão podem ser utilizados em paralelo. Esta configuração permite poupar custos e simplifica o projeto do circuito de comando da porta. A instalação de díodos de recuperação rápida com os nossos IGBTs XPT garante uma comutação mais suave e reduz significativamente a interferência eletromagnética. Características Disponíveis com tensões nominais contínuas (VCES) de 600 V a 4,5 kV Disponíveis com correntes nominais típicas de 9 A a 94 A Tensões de saturação geralmente inferiores a 4 V Baixa resistência entre o invólucro e a junção (por exemplo, 92 mK/W, 4,4 K/W) Vantagens O coeficiente de temperatura positivo para a tensão no estado ligado facilita a ligação em paralelo Baixos requisitos de corrente de porta Disponíveis em pacotes com díodos de recuperação rápida Pacotes conformes com normas internacionais