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Corrente: 95 A
Tensão: 40 V
... RH6G040BG é um MOSFET eléctrico de baixa resistência e pacote de alta potência, adequado para comutação. Baixo sobre - resistência Pacote de molde pequeno de alta potência(HSMT8) Revestimento sem Pb; compatível com RoHS Livre de halogéneo ...
ROHM Semiconductor
Corrente: 60 A
Tensão: 150 V
... RS6R060BH é um MOSFET eléctrico com baixa resistência e pacote de alta potência, adequado para comutação Baixo sobre - resistência Pacote de alta potência(HSOP8) Revestimento sem Pb; compatível com RoHS Livre de halogéneo 100% Rg e UIS testados ...
ROHM Semiconductor
Corrente: 210 A
Tensão: 40 V
... RS6G120BG é um MOSFET eléctrico de baixa resistência e pacote de alta potência, adequado para comutação. Baixo sobre - resistência Pacote de alta potência (HSOP8) Revestimento sem Pb; compatível com RoHS Livre de halogéneo 100% Rg e UIS testados ...
ROHM Semiconductor
Tensão: -60 V
... MOSFETs de canal P em nível normal e lógico, reduzindo a complexidade do design em aplicações de média e baixa potência OptiMOS™ O canal P MOSFETs 60V no pacote DPAK representa a nova tecnologia orientada para a gestão de baterias, ...
Infineon Technologies AG
Tensão: 110, 265 V
... para baixa EMI O reinício automático aprimorado oferece <3% da potência máxima em condições de curto-circuito e falha de circuito aberto A função de desligamento térmico histerético preciso recupera automaticamente sem ...
... Apresenta um PHEMT de ruído ultrabaixo. O processo é otimizado para fornecer um número de ruído muito baixo para estações base celulares/PCS críticas e outras aplicações de RF sem fio, alta consistência entre partes e excelente confiabilidade. ...
Broadcom
... A ST oferece uma vasta gama de interruptores inteligentes de 3 e 5 pinos (OMNIFET) com base na tecnologia VIPower (energia inteligente vertical). Esta tecnologia proprietária permite a integração de circuitos de controle e proteção digitais ...
Tensão: 50 V
... DESCRIÇÃO: O Semicondutor Central CMKT3920 (dois transístores NPN simples) é uma combinação dupla em um espaço pacote SOT-363 ULTRAmini™, projetado para pequenos amplificadores de sinal de uso geral e aplicações de comutação. CÓDIGO ...
Central Semiconductor
... portfólio de Transistores Bipolares RF de Silício e FETs de GaAs Os transistores GaAs FET RF são ideais para o primeiro ou segundo estágio da estação base LNA devido à excelente combinação de baixo ruído ...
Corrente: 2 A
Tensão: 36 V
... Com este MOSFET, pode controlar uma tensão de até 36 Volts. Com a modulação da largura do impulso, a tensão do meio de raiz pode ser baixada (por exemplo, para diminuir uma luz LED). COMPATÍVEL COM Arduino, Raspberry Pi, etc. TENSÃO ...
Tensão: 20, 50 V
... Transistor MOSFET e NPN de canal N em um único pacote Baixa Resistência a On-Resistência Tensão muito baixa do limiar do portão, 1,0 V máx Baixa capacitância de entrada Velocidade de comutação rápida Baixa Vazamento ...
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