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Transistor MOSFET IPD900P06NM
de potênciade comutaçãode avalanche

Transistor MOSFET - IPD900P06NM - Infineon Technologies AG - de potência / de comutação / de avalanche
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Características

Tipo
MOSFET
Tipo
de potência, de comutação
Outras características
de avalanche, para aplicações automotivas
Corrente

-16,4 A

Tensão

-60 V

Descrição

Visão geral
  • IPD900P06NM é um MOSFET de potência canal P projetado para aplicações de comutação e gestão de energia.
  • Tecnologia: OptiMOS™
  • Polaridade: P (canal P)
  • Pacote típico: DPAK (TO-252)


Parâmetros elétricos principais
  • Tensão máxima dreno-fonte (VDS max): -60 V
  • Resistência de condução máxima (RDS(on) max): 90 mΩ


Identificadores e classificação do produto
  • Manufacturer: Infineon Technologies
  • Número de peça do fabricante (MPN) / ISPN: IPD900P06NM
  • Número de encomenda (OPN): IPD900P06NMATMA1
  • ID ISPN: 23206
  • SP Number: SP004987258
  • Família: P-Channel
  • Estado do produto: active


Informação típica de encapsulamento
  • Encapsulamento: DPAK (TO-252)


Aplicações e posicionamento
  • Adequado para comutação canal P, comutação de cargas e gestão de energia a nível de placa quando é necessário um MOSFET canal P em DPAK.


Características técnicas / especificações
  • Tipo de dispositivo: MOSFET de potência canal P
  • VDS (max): -60 V
  • RDS(on) (max): 90 mΩ
  • Encapsulamento: DPAK (TO-252)
  • Tecnologia: OptiMOS™
  • Polaridade: P

Catálogos

IPD900P06NM
IPD900P06NM
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