Transistor MOSFET ISP75DP06LM

de potênciade comutaçãode avalanche

Os MOSFETs OptiMOS™ de canal P de 60V no pacote SOT-223 são ideais para aplicações de comutação de carga, gerenciamento de bateria e proteção contra polaridade reversa. A principal vantagem dos MOSFETs de canal P OptiMOS™ é a simplificação da complexidade do projeto em aplicações de média e baixa potência. A sua fácil interface com a unidade de microcontrolador (MCU), a comutação rápida e a robustez de avalanche tornam os MOSFETs de canal P OptiMOS™ da Infineon adequados para aplicações exigentes de alta qualidade. Os produtos melhoram a eficiência em cargas baixas devido ao baixo Qg e estão disponíveis em nível normal e lógico, apresentando uma ampla faixa de RDS(on). Resumo das características: A maioria dos produtos está qualificada para AEC Q101 Ampla gama de RDS(on) Disponibilidade de nível normal e nível lógico Vantagens: Interface fácil para MCU Eficiência melhorada em cargas baixas devido ao baixo Qg Comutação rápida Robustez de avalanche Aplicações alvo: Bateria Consumo Automação industrial Accionamentos industriais