Transistor MOSFET ISS17EP06LM

de potênciade comutaçãode avalanche

Os MOSFETs de canal P OptiMOS™ no pacote SOT-23 são ideais para aplicações de comutação de carga, gerenciamento de bateria e proteção contra polaridade reversa. A principal vantagem dos MOSFETs de canal P OptiMOS™ é a simplificação da complexidade do projeto em aplicações de média e baixa potência. A sua fácil interface com a unidade de microcontrolador (MCU), a comutação rápida e a robustez de avalanche tornam os MOSFETs de canal P OptiMOS™ da Infineon adequados para aplicações exigentes de alta qualidade. Os produtos melhoram a eficiência em cargas baixas devido ao baixo Qg e estão disponíveis em nível normal e lógico, apresentando uma ampla faixa de RDS(on). Resumo das características: Ampla gama de RDS(on) Disponibilidade em nível normal e nível lógico Vantagens: Interface fácil para MCU Eficiência melhorada em cargas baixas devido ao baixo Qg Comutação rápida Robustez de avalanche Aplicações alvo: Bateria Consumo Automação industrial Accionamentos industriais