Transistor MOSFET BSC012N06NS

de potênciade áudio

Os MOSFETs OptiMOS™ BiC da Infineon no pacote SuperSO8 estendem o portfólio de produtos OptiMOS™ 3 e 5 e permitem maior densidade de potência, além de maior robustez, respondendo à necessidade de menor custo do sistema e maior desempenho. A baixa carga de recuperação inversa (Qrr) melhora a fiabilidade do sistema ao proporcionar uma redução significativa do overshoot de tensão, o que minimiza a necessidade de circuitos de snubber, resultando em menos custos e esforços de engenharia. Características principais O RDS(on) mais baixo permite uma maior densidade de potência e eficiência Temperatura de funcionamento superior a 175°C para maior fiabilidade Baixo RthJC para um excelente comportamento térmico Menor carga de recuperação inversa (Qrr) Principais benefícios Menor temperatura a plena carga Menos paralelismo Redução do overshoot Aumento da densidade de potência do sistema Tamanho mais pequeno Redução do custo do sistema Redução dos custos e do esforço de engenharia Aplicações alvo Servidores Telecomunicações Ferramentas eléctricas Accionamentos de baixa tensão Aplicações áudio de classe D