Transistor MOSFET ISC151N20NM6

de potênciade comutaçãode áudio

O ISC151N20NM6 OptiMOS™ 6 200 V está a definir um novo padrão tecnológico. Responde à necessidade de elevada densidade de potência, elevada eficiência e elevada fiabilidade. A tecnologia OptiMOS™ 6 200 V foi concebida para um desempenho ideal em aplicações de acionamento de motores, tais como veículos elétricos de baixa velocidade (LEV), empilhadores e drones. Graças ao RDS(on) líder do setor, ao comportamento de comutação melhorado e à partilha de corrente otimizada, o novo OptiMOS™ 6 permite uma maior densidade de potência, menos ligações em paralelo e um melhor comportamento em termos de EMI. O comportamento de comutação melhorado torna-o também a escolha ideal para qualquer tipo de aplicação de comutação, como telecomunicações, servidores, energia solar ou áudio. Além disso, a combinação de uma ampla SOA e de um RDS(on) líder do setor resulta numa solução perfeita para aplicações de comutação estática, como o BMS. Características RDS(on) 42 % mais baixo Excelente comportamento em termos de EMI e comutação devido a: QRR (típico) 45 % inferior QOSS (típico) 42 % inferior Diodo mais suave em mais de 3 vezes Linearidade de capacitância melhorada VGS(th) restrito e baixa transcondutância para facilitar a ligação em paralelo SOA melhorada para aumentar a robustez Vantagens Baixas perdas de condução Baixas perdas de comutação Funcionamento estável com melhor desempenho em termos de EMI Menos necessidade de ligação em paralelo Melhor partilha de corrente na ligação em paralelo Em conformidade com a RoHS, sem chumbo Classificado como MSL 1 de acordo com a norma J-STD-020